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电力场效应晶体管属于电流型控制元件。


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考题 电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿

考题 下列哪项不属于典型全控型器件?()A、电力二极管B、门极可关断晶闸管C、电力晶体管D、电力场效应晶体管

考题 ()的英文缩写是GTR。A、电力二极管B、门极可关断晶闸管C、电力晶体管D、电力场效应晶体管

考题 在电力电子器件中,电流型电力电子元件有()。A、PDB、SCRC、GTD、FST

考题 电力场效应晶体管(电力MOSFET)是理想的()控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率

考题 电力场效应晶体管(电力MOSFET)适合于在()条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频

考题 绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。

考题 电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

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考题 电力场效应晶体管有三个引脚,分别为()、栅极G、漏极D。

考题 电力场效应晶体管可应用于()、开关电源、便携式电子设备等电子电器设备中。

考题 电力场效应晶体管(MOSFET)有哪些特点?

考题 电力场效应晶体管是理想的()控制型器件A、电压B、电流C、电阻D、功率

考题 单选题电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。A 有二次击穿B 无二次击穿C 防止二次击穿D 无静电击穿

考题 单选题电力场效应晶体管(电力MOSFET)是理想的()控制器件。A 电压B 电流C 电阻D 功率

考题 单选题电力场效应晶体管(电力MOSFET)适合于在()条件下工作。A 直流B 低频C 中频D 高频

考题 单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为()A P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管

考题 填空题电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

考题 填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极(),以()复合而成。

考题 单选题下列哪项不属于典型全控型器件?()A 电力二极管B 门极可关断晶闸管C 电力晶体管D 电力场效应晶体管

考题 判断题绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。A 对B 错

考题 判断题电力场效应晶体管属于电流型控制元件。A 对B 错

考题 单选题()的英文缩写是GTR。A 电力二极管B 门极可关断晶闸管C 电力晶体管D 电力场效应晶体管