考题
场效应管的工作原理是()
A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
考题
晶闸管的三个引出电极分别是()。
A.阳极、阴极、门极B.阳极、阴极、栅极C.栅极、漏极、源极D.发射极、基极、集电极
考题
单结晶体管三个电极分别为()。A.发射极，基极，集电极B.第一基极，发射极，第二基极C.源极，栅极，漏极D.阴极，门极，阳极
考题
可关断晶闸管三个电极分别为()。A.发射极，基极，集电极B.第一基极，发射极，第二基极C.源极，栅极，漏极D.阴极，门极，阳极
考题
场效应管放大电路以()之间的信号作为输入信号。
A、栅极和漏极B、栅极和源极C、漏极和源极D、基极和发射极
考题
MOSFET功率管的三个极分别为漏极、栅极和()。
A、基极B、源极C、发射极D、阻板
考题
场效应管三个电极分别为( )。
A.发射极，基极，集电极；B.第一基极，发射极，第二基极；C.源极，栅极，漏极；D.阴极，门极，阳极。
考题
绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。
A.发射极，基极，集电极；B.发射极，栅极，集电极；C.源极，栅极，漏极；D.阴极，门极，阳极。
考题
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
考题
场效应管的三个极分别为？（）A、发射极B、栅极C、源极D、漏极
考题
晶体三极管的三个极分别为？（）A、栅极B、基极C、集电极D、发射极
考题
三极管的三个极是（）。A、同相输入极、反相输入极、输出极B、发射极、基极、集电极C、阳极、阴极、控制极D、栅极、漏极、源极
考题
绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。
考题
场效应管有三个电极，哪个不属于其中之一？（）A、栅极B、基极C、漏极D、源极
考题
MOS管有三个电极，以下性不属于MOS管的电极是：（）A、栅极（G）B、漏极D.C、C.基极D、源极（S）
考题
场效应管共漏极放大电路的信号是从（）A、栅极输入，漏极输出B、源极输入，漏极输出C、栅极输入，源极输出D、漏极输入，源极输出
考题
从栅极输入，从漏输出的是共（）极电路；从栅极输入，从源极输出的是共漏极电路。
考题
下列关于PowerMOSFET的描述，哪一项是错误的？（）A、是电压驱动型器件B、也称为绝缘栅极双极型晶体管C、属于全控型器件D、三个极为漏极、栅极和源极
考题
IGBT的3个引出电极分别是（）A、阳极、阴极、门极B、阳极、阴极 栅极C、栅极、源极 漏极D、发射极、栅极、集电极
考题
晶闸管三个电极分别叫做（）.A、阳极阴极和控制极B、阳极阴极和栅极C、屏极阴极和控制极D、漏极源极和栅极
考题
功率场效应管的三个引脚符号为（）A、源极S、漏极D、发射极EB、漏极D、发射极E、集电极CC、栅极G、发射极E、集电极CD、源极S、漏极D、栅极G
考题
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管（）和发射极作为发射极与集电极复合而成。
考题
单选题IGBT的3个引出电极分别是（）A
阳极、阴极、门极B
阳极、阴极 栅极C
栅极、源极 漏极D
发射极、栅极、集电极
考题
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和（）作为发射极与集电极复合而成。
考题
单选题MOS管有三个电极，以下性不属于MOS管的电极是：（）A
栅极（G）B
漏极D.C
C.基极D
源极（S）
考题
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。