考题
结晶过程包括( )两个阶段。A.静置B.晶体颗粒变大C.成核D.晶体生长
考题
水热法的不足之处在于（）。A、装置费用高B、操作时无法观察晶体生长情况C、晶体生长速度太慢D、A、B、C都是
考题
结晶过程包括（）两个阶段。A、静置B、晶体颗粒变大C、成核D、晶体生长
考题
试举例说明流变相反应生长晶体的特点，试描述其晶体生长反应机理。
考题
铸铁的组织中，柱状区形成的外因是（）。A、晶体生长的各向异性B、晶体生长的各向同性C、传热的方向性D、晶体长大的速度
考题
在晶体生长过程中维持其过饱和度的途径有哪些？
考题
水热法的基本原理和优点？简述晶体生长的三个阶段
考题
影响晶体生长速度的主要因素有（）、（）、（）和（）。
考题
在（）情况下得到粗大而有规则的晶体。A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对
考题
在什么情况下得到粗大而有规则的晶体（）A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对
考题
晶面条纹可以认为是晶体生长过程中各个（）叠合后留下的痕迹。
考题
填空题晶体生长过程中晶面发育的理论包括（）、（）、（）。
考题
问答题水热法的基本原理和优点？简述晶体生长的三个阶段
考题
判断题生长速度大的晶面在晶体生长过程中最后被保留了下来。A
对B
错
考题
填空题根据晶体生长扩散学说，晶体的生长包括（）、（）和（）三个过程。
考题
单选题在（）情况下得到粗大而有规则的晶体。A
晶体生长速度大大超过晶核生成速度B
晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C
晶体生长速度等于晶核生成速度D
以上都不对
考题
问答题固-液界面结构如何影响晶体生长方式和生长速度？
考题
填空题晶体生长技术包括有融体生长法和（）；其中融体生长法主要有（）、坩埚下降法、（）和焰融法。
考题
单选题在什么情况下得到粗大而有规则的晶体（）A
晶体生长速度大大超过晶核生成速度B
晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C
晶体生长速度等于晶核生成速度D
以上都不对
考题
填空题影响晶体生长速度的主要因素有（）、（）、（）和（）。