网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)

简述非晶氢化氮化硅(α-SiNx:H)薄膜的优点及其制备工艺。


参考答案

更多 “简述非晶氢化氮化硅(α-SiNx:H)薄膜的优点及其制备工艺。” 相关考题
考题 简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。

考题 简述非晶硅薄膜晶体管的工作原理。

考题 简述微晶硅薄膜晶体管中非晶硅薄膜上面有一层金属薄膜Mo的作用,以及工艺中需要采用的特殊技术?

考题 氢化非晶硅的禁带宽度可调,含氢量增加,禁带宽度();在非晶硅中掺入Ge元素,其禁带宽度()。

考题 简述大块非晶合金的制备方法。

考题 简述薄膜蒸发的优点。

考题 简述碳化硅制品的种类,氮化硅结合碳化硅砖的工艺特点。

考题 简述快速凝固技术、大块非晶制备技术

考题 简述溶胶——凝胶法薄膜制备的原理。

考题 简述炼乳乳糖晶种的制备。

考题 简述氮化硅原料的晶型及物理性能

考题 薄膜电池分为:()和非晶硅薄膜电池。

考题 微晶玻璃的制备原理及其工艺过程。

考题 问答题简述氮化硅原料的晶型及物理性能

考题 问答题简述碳化硅制品的种类,氮化硅结合碳化硅砖的工艺特点。

考题 问答题简述石英的晶型转及其在陶瓷工艺过程中的影响。

考题 判断题LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆盖,在低温APCVD中,非保形覆盖一般比较常见。A 对B 错

考题 问答题简述薄膜材料合成与制备的常用方法及其特点。

考题 问答题微晶玻璃的制备原理及其工艺过程。

考题 问答题简述大块非晶合金的制备方法。

考题 问答题简述骤冷法制备非晶的方法。

考题 问答题薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢,因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜,而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜?

考题 问答题晶圆的英文是什么?简述晶圆制备的九个工艺步骤。

考题 单选题下列不属于非晶硅优点的是().A 制备方法简单B 工艺成本低C 制备温度高D 可大面积制备

考题 单选题集点矩阵层中包含的TFT是(  )。A 薄膜晶体管B 发光晶体管C 非晶硒D 非晶硅E 氢化非晶硅

考题 问答题简述快速凝固技术、大块非晶制备技术

考题 问答题列举非晶材料的制备方法。