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硅太阳能电池一般制成p+/n型结构或n+/P型结构。


参考答案

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考题 NPN型和PNP型晶体管的区别是()。 A、由两种不同的材料硅和锗制成B、掺入的杂质不同C、P区和N区的位置不同D、电流放大倍数不同

考题 硅太阳能电池是以n型硅半导体作基体,再用掺杂的方法在其表面制作一层薄的×××型硅半导体构成。

考题 由空穴参与导电并形成电流的硅晶体称为()硅晶体。A、“M”型B、“N”型C、“L”型D、“P”型E、“F”型

考题 2CW10表示()A、N型硅材料稳压二极管;B、P型硅材料稳压二极管;C、N型锗材料稳压二极管;D、P型锗材料稳压二极管

考题 P型半导体是本征硅(Si)内掺入微量的五价元素磷(P)制成的。

考题 太阳能电池的基本结构包括()、P层、N层以及减反射膜。263、太阳能电池的基本原理是()。

考题 2CZ54D是()。A、N型硅整流二极管B、P型锗整流二极管C、N型硅整流稳压二极管D、P型锗整流开关二极管

考题 由自由电子参与导电并形成电流的硅晶体称为()硅晶体。A、“M”型B、“N”型C、“L”型D、“P”型E、“F”型

考题 可控硅是一种按P—N—P—N型次序排列的四层硅半导体器件。()

考题 过渡金属氧化物的能带结构有什么特点?如何提高n型或p型半导体的导电性能?

考题 设二维数组A[0…m-1][0…n-1]按行优先顺序存储在内存中,第一个元素的地址为p,每个元素占k个字节,则元素aij的地址为()。A、p+[i*n+j-1]*kB、p+[(i-1)*n+j-1]*kC、p+[(j-1)*n+i-1]*kD、p+[j*n+i-1]*k

考题 有一个二极管的标号为:2CP18,其中“C”表示()。A、P型锗材料B、N型锗材料C、P型硅材料D、N型硅材料

考题 有一个二极管的标号为ZCP18,其中“C”表示()。A、P型锗材料B、N型锗材料C、P型硅材料D、N型硅材料

考题 三极管按结构不同分成NPN和PNP两种类型,NPN型三极管的结构是由两个()的三层半导体制成。A、P区B、PN结C、N区D、PN极

考题 二极管2CP的意义是()。A、N型硅材料普通管B、P型硅材料稳压管C、N型锗材料普通管D、P型锗材料稳压管

考题 将硼元素掺进硅晶体内,则成为何种半导体?()A、N型B、P型C、本质型半导体D、NPN型

考题 单晶硅太阳能电池的基本结构是(),在背场将不纯物进行(),形成P﹢层,可以改善收集效率。

考题 非晶硅太阳能电池中,进行光电转化的是什么层()。A、I层B、P层C、N层D、P-I-N层

考题 非晶硅太阳能电池的基本构造是下列的哪种?()A、梳状电极→减反膜→n型硅→p型硅→反电极B、梳状电极→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SSC、梳状电极→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→导电玻璃D、梳状电极→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS

考题 异质结太阳能电池的结构是在P型基片上,覆盖一层n型顶区层,两者的交界面构成一个异质结,然后在顶区层下面制作栅状金属电场,正背制作底面金属电极。

考题 结晶硅具有()型能带结构,因此吸收系数较小,有必要进行封闭,活性层的厚度为数μm的薄膜太阳能电池也可得到高的转换效率。

考题 扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的

考题 NPN型和PNP型晶体管的区别是()A、由两种不同材料硅和锗制成的B、渗入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同

考题 单选题由自由电子参与导电并形成电流的硅晶体称为()硅晶体。A “M”型B “N”型C “L”型D “P”型E “F”型

考题 单选题由空穴参与导电并形成电流的硅晶体称为()硅晶体。A “M”型B “N”型C “L”型D “P”型E “F”型

考题 问答题若P型硅中掺入受主杂质,EF是升高还是降低?若n型硅中掺入受主杂质,EF是升高还是降低?

考题 填空题太阳能电池的基本结构包括()、P层、N层以及减反射膜。263、太阳能电池的基本原理是()。