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空间电荷区，内建电场及方向；漂移电流和扩散电流及其方向。

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更多 “空间电荷区，内建电场及方向；漂移电流和扩散电流及其方向。” 相关考题
考题 内电场越强,漂移运动越强,而漂移使空间电荷区变薄。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 PN结反向工作时,流过的电流主要是()。 A.扩散电流B.漂移电流C.传导电流D.扩散与漂移电流并存
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考题 PN结附近形成的内电场方向是由N区指向P区,它阻止多子扩散,起到了限制电流通过的作用。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 恒定电场中电流I与电场E方向相反。（ ）
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考题 当P—N结承受反向电压时，其内部电流关系为（）A.扩散电流大于漂移电流 B.扩散电流等于漂移电流 C.扩散电流小于漂移电流 D.无法确定
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考题 PN结加反向电压（数值小于击穿电压）时：（）。A、空间电荷区变宽，漂移运动大于扩散运动B、空间电荷区变窄，漂移运动大于扩散运动C、空间电荷区变窄，扩散运动大于漂移运动D、空间电荷区变宽，扩散运动大于漂移运动
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考题 通常规定，正电荷运动的方向为电流的方向，电场的方向为处于电场中的正电荷所受力的方向
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考题 自由电子在电场力的作用下，运动的方向就是电流的方向。
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考题 自由电子在电场力作用下运动的方向，就是电流的方向。
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考题 右手安培定则是用来判定（）。A、电流产生的磁场方向B、载流直导体所受磁场力的方向C、电场力的方向D、高生电流的方向
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考题 在外电场作用下，漂移电流主要是（）运动引起，扩散电流主要是（）运动引起。A、多子，少子B、少子，多子C、多子，多子D、少子，少子
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考题 在平衡p-n结中，由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流，而使p-n结中的静电流为零。
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考题 电流方向与电场方向相同。
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考题 PN结中扩散电流的方向是：（），漂移电流的方向是（）。
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考题 PN结反偏时，内电场与外电场的方向（），空间电荷区变（），有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。
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考题 PN结反向工作时，流过的电流主要是（）A、扩散电流B、漂移电流C、传导电流D、扩散和漂移电流并存
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考题 当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。
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考题 载流子的扩散运动产生扩散电流，漂移运动产生（）电流。A、漂移B、隧道C、扩散
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考题 金属中传导电流是由于自由电子沿着与电场E相反方向的定向漂移而形成，设电子的电量为e，其平均漂移率为v，导体中单位体积内的自由电子数为n，则电流密度的大小J=（），J的方向与电场E的方向（）.
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考题 在电场力的作用下，电荷的（）移动形成电流，规定（）移动的方向为电流方向。
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考题 在电场力的作用下，电荷的（）形成电流，规定（）移动的方向为电流方向。
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考题 在电场的作用下，金属导体中自由电子的（）移动形成了电流，规定（）移动的方向为电流的方向。
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考题 单选题载流子的扩散运动产生扩散电流，漂移运动产生（）电流。A 漂移B 隧道C 扩散
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考题 填空题在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。内建电场的方向是从（）区指向（）区。
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考题 填空题PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相同，有利于少子的漂移运动而不利于多子的（），这种情况下的电流称为（）。
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考题 填空题PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向（），有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移。
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考题 单选题pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）A 复合电流B 漂移电流C 扩散电流D 漏电流
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