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关于TD-Ag,错误的是()
- A、引起回忆性反应
- B、分子结构复杂分子量大
- C、只产生体液免疫应答
- D、既有体液免疫应答也有细胞免疫应答
- E、产生抗体需要T细胞辅助
参考答案
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考题
关于免疫记忆的叙述,下列哪一项是错误的A.体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B.Bm是再次应答的主要APCC.免疫应答过程中可产生Tm和BmD.TI-Ag和TD-Ag均可引起回忆应答E.记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的
考题
关于T、B细胞免疫耐受的特点正确的叙述是()A、诱导T细胞耐受所需时间长,B细胞短B、诱导T细胞耐受维持时间短,B细胞长C、高剂量TD-Ag不能使T、B细胞产生耐受D、低剂量TD-Ag仅能使T细胞产生耐受,不能使B细胞产生耐受E、低剂量的TI-Ag能使T、B细胞均产生耐受
考题
关于免疫记忆的叙述,下列哪一项是错误的()A、体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B、Bm是再次应答的主要APCC、免疫应答过程中可产生Tm和BmD、TI-Ag和TD-Ag均可引起回忆应答E、记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的
考题
关于TD-Ag和TI-Ag的特点错误的是()A、TI-2抗原仅含有B细胞丝裂原B、TD-Ag由T细胞表位和B细胞表位组成C、TI-1抗原含有B细胞丝裂原和重复B细胞表位D、TD抗原仅能刺激细胞免疫E、绝大多数的蛋白质抗原是TI抗原
考题
单选题关于T、B细胞免疫耐受的特点正确的叙述是( )。A
诱导T细胞耐受所需时间长,B细胞短B
诱导T细胞耐受维持时间短,B细胞长C
高剂量TD-Ag不能使T、B细胞产生耐受D
低剂量TD-Ag仅能使T细胞产生耐受,不能使B细胞产生耐受E
低剂量的TI-Ag能使T、B细胞均产生耐受
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