考题
vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。
A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管
考题
耗尽型MOS管不能采用自偏压方式。()
此题为判断题(对，错)。
考题
丙类工作状态的栅偏压比截止栅压更负,若振荡管采用固定栅偏压,管子将恒处于饱和状态。()
此题为判断题(对，错)。
考题
在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。
A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型
考题
()场效应管能采取自偏压电路。A、增强型和结型B、耗尽型和结型C、都不能D、增强型和耗尽型
考题
单边带功放级用金属陶瓷管的栅偏压应采用()。
A.固定栅偏压B.固定自偏压C.栅极自给偏压D.BC相结合
考题
零偏压电路适用于所有的场效应管放大电路。()
考题
MOS集成门电路是绝缘栅场效应管组成的集成电路。()
此题为判断题(对，错)。
考题
CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()
此题为判断题(对，错)。
考题
结型场效应管的类型有()。
A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
考题
场效应管分压式偏置电路适合于()场效应管组成的放大电路。
A.增强型B.耗尽型C.增强型和耗尽型D.以上均不对
考题
增强型MOS管放大电路，为何不可采用自给栅偏压的结构形式？
考题
单边带收发信机功放级采用金属陶瓷管的，其栅偏压应采用（）A、固定栅偏压B、固定自偏压C、栅极自给偏压D、B与C相结合
考题
单边带功放级用金属陶瓷管的栅偏压应采用（）A、固定栅偏压B、固定自偏压C、栅极自给偏压D、BC相结合
考题
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
结型场效应管放大电路的偏置方式是（）A、自给偏压电路B、外加偏压电路C、无须偏置电路D、栅极分压与源极自偏结合
考题
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管
考题
某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
考题
当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
考题
CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
考题
为了使集成运放具有较强的放大能力，其中间级多采用（）。A、共射放大电路B、共集放大电路C、共基放大电路D、共栅放大电路
考题
兼有（）和（）两种增强型MOS电路称为CMOS电路。
考题
单选题单边带收发信机功放级采用金属陶瓷管的，其栅偏压应采用（）A
固定栅偏压B
固定自偏压C
栅极自给偏压D
B与C相结合
考题
单选题三极管放大电路中，直流通路主要用来确定电路（）的。A
放大倍数B
静态工作点C
波形失真D
偏压
考题
单选题单边带功放级用金属陶瓷管的栅偏压应采用（）A
固定栅偏压B
固定自偏压C
栅极自给偏压D
BC相结合
考题
填空题电子管放大器的栅极经偏压电源接地，帘栅经帘栅电源接地，栅极和帘栅极射频直接接地，我们称这样的放大器为（）放大器。