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判断题
制造工艺是指在硅材料上生产CPU时其内部各元器件连接线的宽度,宽度越低表示CPU的制造工艺越高。
A

B


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考题 由于制造工艺上的原因,不能把理论尖端制造出来,而实际上的尖端有()mm的宽度,称为辙叉实际尖端。 A、2~6B、4~8C、6~l0

考题 ()又可分为芯片制造工艺和电子封装工艺两个部分。 A.微电子制造工艺B.电子制造工艺C.材料制造工艺D.制造工艺

考题 CPU的主要参数有( )。A.缓存容量B.主频C.制造工艺D.字长E.外频

考题 CPU制造工艺越先进,则工作电压越低,目前能做到比较先进的制造工艺为__A、0.18umB、0.13umC、0.15umD、0.08um

考题 CPU主频在很大程度上决定微机的运输速度,() A.CPU主频越高,其运算速度就越慢B.CPU主频越高,其运算速度就越快C.CPU主频越低,其运算速度就越快D.其它三项都不对

考题 以下关于CPU的描述中,错误的是( )。 A、CPU的主频即CPU内核工作的时钟频率B、CPU的主频越高,其运算能力也必然越高C、CPU的缓存是为于CPU与内存之间的临时存储器,CPU的缓存可以大大提高CPU的工作效率D、随着CPU制造工艺的发展,二级缓存也已经集成在CPU的内核中

考题 关于CPU制作工艺的描述正确的是()A、CPU制作工艺对CPU工作电压有影响B、CPU制作工艺对CPU工作时的发热量有影响C、CPU的制作工艺对CPU的主频有影响D、CPU制作工艺影响CPU的美观

考题 CPU主频在很大程度上决定微机的运输速度,()A、CPU主频越高,其运算速度就越慢B、CPU主频越高,其运算速度就越快C、CPU主频越低,其运算速度就越快D、其它三项都不对

考题 CNG加气机的CPU是由多晶硅以一定的生产工艺制造出来的。

考题 ()不是CPU的主要技术指标。A、缓存B、制造工艺C、多媒体指令集D、内存容量

考题 ()是指CPU内电路与电路之间的距离。A、前段总线B、主频C、外频D、制造工艺

考题 根据工艺在生产中不同性质作用,可以分为基本制造工艺、改性工艺和()。A、延伸制造工艺B、完成制造工艺C、后处理工艺D、从属制造工艺

考题 CPU的主要性能指标包括:()。A、CPU的频率B、CPU的指令集C、CPU的工作电压D、CPU的总线E、CPU的缓存F、CPU的制造工艺

考题 AMD Thunderbird CPU的制造工艺是()。A、0.25μmB、0.18μmC、0.14μmD、0.35μm

考题 8088CPU内部数据总线宽度为()位,外部数据总线宽度为()位

考题 集成电路的基本制造工艺是:首先是对圆柱形的单晶硅进行(),生产大片的(),并在其上制造出大量电路单元。

考题 通常所说的CPU制造工艺“XX微米”值越大越好。

考题 制造工艺是指在硅材料上生产CPU时其内部各元器件连接线的宽度,宽度越低表示CPU的制造工艺越高。

考题 CPU的制造工艺越高,CPU的工作电压就越低。

考题 随着CPU制造工艺的提高,其工作电压有上升的趋势

考题 随着cpu的制造工艺和主频的提高,cpu的工作电压有逐步()的趋势。A、上升B、下降C、不升不降D、以上都是

考题 品牌越往高端,品类宽度应();越往低端,品类宽度应()。A、越宽越窄B、越窄越宽C、越高越低D、越低越高

考题 POWER6与POWER55+相比集成度更高,POWER5+采用()纳米CPU制造工艺,而POWER6采用()纳米CPU制造工艺。  A、130,90B、90,60C、90,50D、60,45

考题 填空题集成电路的基本制造工艺是:首先是对圆柱形的单晶硅进行(),生产大片的(),并在其上制造出大量电路单元。

考题 单选题()是指CPU内电路与电路之间的距离。A 前段总线B 主频C 外频D 制造工艺

考题 判断题CPU的制造工艺越高,CPU的工作电压就越低。A 对B 错

考题 单选题根据工艺在生产中不同性质作用,可以分为基本制造工艺、改性工艺和()。A 延伸制造工艺B 完成制造工艺C 后处理工艺D 从属制造工艺