考题
GTO指的是( )。A、电力场效应晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、电力晶体管D、门极可关断晶闸管
考题
高性能的高压变频器调速装置的主电路开关器件采用()。
A.功率场效应晶体管B.绝缘栅双极晶体管C.电力晶体管
考题
绝缘栅双极晶体管IGBT将（）和GTR的优点集于一身。A、GTOB、MOSFETC、IPMD、GBT
考题
高性能的高压变频调速装置的主电路开关器件采用（）。A、快速恢复二极管理体制B、绝缘栅双极晶体管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管
考题
绝缘栅双极晶体管属于（）控制元件。A、电压B、电流C、功率D、频率
考题
逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用电力场效应管和绝缘栅双极晶体管。
考题
绝缘栅双极晶体管的开关速度（）电力晶体管。A、低于B、等于C、稍高于D、明显高于
考题
绝缘栅双极晶体管的开关速度（）电力场效应管。A、稍高于B、低于C、等于D、远高于
考题
绝缘栅双极晶体管指的是（）。A、MOSFETB、GT0C、IGBTD、GTR
考题
下列不是高性能的高压变频器调速装置的主电路开关器件采用的是（）。A、功率场效应晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、电力晶体管D、三极管
考题
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
考题
常用的电力电子器件有：（）。A、双极晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、电力MOS场效应管D、门极关断晶闸管E、场控晶闸管
考题
绝缘栅双极晶体管属于（）型器件。A、电阻B、电压C、电流D、电容
考题
绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（）。A、集电极B、栅极C、发射极D、门极
考题
电力电子开关器件的发展经历的四个阶段为：（）、（）、功率 场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。
考题
逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极晶体管
考题
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由栅极电压来控制的。
考题
绝缘栅双极晶体管具有速度快、（）阻抗高、通态电压低、耐压高、电容量大的特点。
考题
判断题IGBT全称：绝缘栅形双极晶体管A
对B
错
考题
多选题具有信号隔离功能的器件有（）。AIGBT（绝缘栅双极晶体管）B继电器C光电耦合器DMOSFET
考题
多选题常用的电力电子器件有：（）。A双极晶体管B绝缘栅双极晶体管C电力MOS场效应管D门极关断晶闸管E场控晶闸管
考题
单选题绝缘栅双极晶体管属于（）型器件。A
电阻B
电压C
电流D
电容