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晶体管毫伏表的最大特点除了输入灵敏度高外，还有（）
- A、输入阻抗高
- B、输入阻抗低
- C、输入抗干扰性能强
- D、输入抗干扰性能弱
参考答案
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考题
关于无源校正装置下述说法正确的是()。
A. 本身没有增益，只有衰减;输入阻抗低，输出阻抗高。B. 本身有增益，并且有衰减;输入阻抗低，输出阻抗高。C. 本身没有增益，只有衰减;输入阻抗高，输出阻抗低。D. 本身有增益，并且有衰减;输入阻抗低，输出阻抗高。
考题
跟DRAM相比，SRAM的特点是（）A、每位晶体管数目多，访问时间短，抗干扰强，花费高B、每位晶体管数目多，访问时间长，抗干扰强，花费高C、每位晶体管数目少，访问时间长，抗干扰弱，花费高D、每位晶体管数目少，访问时间短，抗干扰强，花费低
考题
COMS集成电路与TTL集成电路相比较的特点（）。A、静态功耗低，电源电压范围宽B、输入阻抗高，扇出能力强C、抗干扰能力强，逻辑摆幅大D、温度稳定性好E、工作速度低于TTL电路，功耗随频率的升高显著增大
考题
关于输入阻抗，下述说法不正确的是（）A、仪表在输出端接有额定负载时，输入端所表现出来的阻抗。B、输入阻抗的大小决定对信号源的衰减程度。C、输入阻抗小，仪表的灵敏度高。D、为减小测量误差，通常要求仪表的输入阻抗大。
考题
单选题脑电图机的许多重要参数是由前置放大器的性能决定的，一个优良的前置放大器的应能提供（ ）。A
高的共模抑制比，高的噪音电平和高的输入阻抗B
低的共模抑制比，低的噪音电平和低的输入阻抗C
高的共模抑制比，低的噪音电平和低的输入阻抗D
高的共模抑制比，低的噪音电平和高的输入阻抗E
低的共模抑制比，高的噪音电平和高的输入阻抗
考题
单选题跟DRAM相比，SRAM的特点是（）A
每位晶体管数目多，访问时间短，抗干扰强，花费高B
每位晶体管数目多，访问时间长，抗干扰强，花费高C
每位晶体管数目少，访问时间长，抗干扰弱，花费高D
每位晶体管数目少，访问时间短，抗干扰强，花费低
考题
单选题集成运算放大器的输入阻抗/输出阻抗特点是（）。A
高／低B
低／高C
高／高D
低／低
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