考题
三极管按结构不同分成NPN和PNP两种类型,NPN型三极管的结构是由两个()的三层半导体制成。
A.P区B.PN结C.N区D.PN极
考题
半导体三极管的放大条件是()。
A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结正偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏
考题
三极管是由两个PN结的三层半导体制成的。（）
考题
227）下图为某一半导体三极管T的图形符号，由该图形符号可知该半导体三极管T是NPN型半导体三极管。（ ）
考题
半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理，由三块半导体结合而成，因此具有（）PN结A、一个B、两个C、三个D、四个
考题
对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于（）A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、无法确定E、导通状态
考题
普通半导体三极管是有？（）。A、一个PN结组成B、二个PN结组成C、三个PN结组成D、四个PN结组成
考题
半导体三极管的放大条件是（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
晶体三极管（）有2个。A、内部的半导体层B、外部的电极C、内部的PN结D、的种类
考题
三极管饱和导通状态是指三极管（）。A、发射结、集电结均处于正向偏置B、发射结、集电结均处于反向偏置C、发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置D、发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置
考题
三极管截止状态是指三极管（）。A、发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置B、发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置C、发射结、集电结均处于反向偏置D、发射结、集电结均处于正向偏置
考题
三极管按结构不同分成NPN和PNP两种类型，NPN型三极管的结构是由两个（）的三层半导体制成。A、P区B、PN结C、N区D、PN极
考题
三极管是由半导体材料制成的两个靠得很近的（），加上相应的电极、引线、管壳制成的。A、二极管B、PN结C、晶体D、导电区
考题
半导体三极管中的一个PN结，可以用来替代同材料的二极管。
考题
半导体三极管是由（）极（）极（）极三个电极，（）结（）结两个PN结构成。
考题
半导体三极管是具有（）PN结的器件。A、1个B、2个C、3个D、4个
考题
半导体三极管处在饱和状态时是（）A、发射结反偏集电结反偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结正偏D、发射结反偏集电结正偏
考题
半导体三极管具有放大作用的外部条件是发射结（）向偏置，集电结（）向偏置。
考题
晶体三极管由（）结。A、三个半导体区组成，形成两个NPB、三个半导体区组成，形成两个PNC、二个半导体区组成，形成两个NPD、二个半导体区组成，形成两个PN
考题
晶体三极管由（）半导体区组成，形成两个（）结。A、三个；NPB、三个；PNC、二个；NPD、二个；PN
考题
半导体三极管内部有发射区、基区和集电区三部分，结合处形成两个PN结，分别称为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结D、集合结
考题
三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结D、集合结
考题
三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结
考题
三极管的“三区”、“三极”、“二结”是指什么？
考题
多选题半导体三极管的3个结，是指（）。A发射结B基结C集电结D控制结E电流节
考题
单选题半导体三极管的放大条件是（）。A
发射结正偏，集电结反偏B
发射结正偏，集电结正偏C
发射结反偏，集电结正偏D
发射结反偏，集电结反偏