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三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。

  • A、集中结
  • B、集成结
  • C、集电结
  • D、集合结

参考答案

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考题 三极管哪个区的掺杂浓度最高() A、基区B、发射区C、集电区D、不确定
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考题 NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。
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考题 体管分为三层分别为：发射区、基区和（）。A、集电区B、收集区C、放大区D、扩张区
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考题 在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。A、基区B、集电区C、发射区D、饱和区
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考题 晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料（N型或P型）构成的，所发射极和集电极可以互换。
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考题 三极管是有三层半导体材料组成的，有三个区域，中间的一层为（）A、基区B、栅区C、集电区D、发射区
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考题 三极管是由三层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为（）。A、基区B、栅区C、集电区D、发射区
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考题 晶体管分为三层分别为（）A、发射区B、放大区C、集电区D、基区E、扩张区
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考题 晶体三极管它有三个区和三个引出电极，分别是（）。A、集电区（极）B、基区（极）C、控制区（极）D、发射区（极）
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考题 三极管具有（）的特点。A、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度B、基区非常薄C、集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大D、以上三项
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考题 晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.
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考题 晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。A、基区B、发射区C、集电区D、发射区和集电区
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考题 下列关于晶体三极管说法证确的是（）。A、发射区与基区交界处的PN结为发射结B、基区与集电区交界处的PN结为发射结C、发射区与基区交界处的PN结为集电结D、发射区与集电区交界处的PN结为集电结
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考题 叙述晶体三极管电流的传输过程（）。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子，在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程
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考题 晶体三极管从结构上划分，有如下：（）。A、发射区B、基区C、集电区D、放大区
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考题 三极管工作在放大状态时，发射区是（）载流子，基区则是作为输送和控制载流子的基地，集电区是（）载流子的。
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考题 三极管有（）型和（）型两种结构，三极管中集电区与基区之间的PN结称为（）结，基区与发射区之间的PN结成为（）结。
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考题 晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。
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考题 半导体三极管内部有发射区、基区和集电区三部分，结合处形成两个PN结，分别称为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结D、集合结
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考题 三极管最薄的区是（）。A、发射区B、集电区C、基区
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考题 半导体三极管工作过程中（）。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
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考题 三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
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考题 三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结
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考题 单选题晶体管是由单层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为（）。A 基区B 栅区C 集电区D 发射区
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考题 填空题晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.
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考题 填空题三极管的内部结构是由基区、（）区、集电区及发射结和集电结组成的。
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