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单选题
晶体的空穴属于()。
A

点缺陷

B

面缺陷

C

线缺陷

D

不是缺陷


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
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考题 在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴,空穴B、空穴,电子C、电子,电子D、电子,空穴

考题 P型半导体中,电子数与空穴数相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3

考题 在N型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3

考题 晶体二极管是最简单的半导体器件,它是由()组成。 A.PN结B.电子C.空穴D.原子

考题 关于包合物的叙述错误的是A.包合过程属于化学过程B.主分子具有较大的空穴结构C.客分子必须与主分子的空穴形状和大小相适应D.一种分子被包嵌于另一种分子的空穴中形成包合物E.包合物为客分子被包嵌于主分子的空穴形成的分子囊

考题 由空穴参与导电并形成电流的硅晶体称为()硅晶体。A、“M”型B、“N”型C、“L”型D、“P”型E、“F”型

考题 半导体探测器又称为()A、气体电离室B、液体电离室C、固体电离室D、晶体电离室E、空穴电离室

考题 半导体中空穴电流是由()A、价电子填补空穴形成的B、自由电子填补空穴形成的C、空穴填补自由电子形成的D、自由电子定向运动形成的

考题 双极晶体管中只有一种载流子(电子或空穴)传输电流。()

考题 下列关于包合物的叙述,错误的是()A、一种分子被包嵌于另一种分子的空穴中形成包合物B、包合过程属于化学过程C、客分子必须与主分子的空穴形状和大小相适应D、主分子具有较大的空穴结构E、包合物为客分子被包嵌于主分子的空穴中形成的分子囊

考题 下列关于包合物叙述错误的是()A、一种分子被包嵌于另一种分子的空穴中形成包合物B、包合过程属于物理过程C、客分子必须与主分子的空穴形成和大小相适应D、主分子具有较小的空穴结构E、包合物为客分子被包嵌于主分子的空穴中形成的分子囊

考题 空隙率是在CaCO3分解的过程中,晶体中放出()气体后形成的空穴。A、COB、H2C、O2D、CO2

考题 电力晶体管GTR内部电流是由()形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴

考题 电力晶闸管GTR内部电流是由()形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴

考题 中晶体硅或锗中,参与导电的是()A、离子B、自由电子C、空穴D、B和C

考题 在足够能量的光照条件,晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下,N区的()向P区运动.。A、电子B、空穴C、质子D、原子

考题 晶体二极管是最简单的半导体器件,它是由()组成。A、PN结B、电子C、空穴D、原子

考题 晶体三极管的电流放大作用就是利用空穴在基区的扩散与复合这一矛盾,使扩散运动大大超过复合。

考题 单选题中晶体硅或锗中,参与导电的是()A 离子B 自由电子C 空穴D B和C

考题 单选题金刚石属于原子晶体,足球烯属于(  )。A 离子晶体B 分子晶体C 原子晶体D 金属晶体

考题 单选题由空穴参与导电并形成电流的硅晶体称为()硅晶体。A “M”型B “N”型C “L”型D “P”型E “F”型

考题 单选题重空穴指的是()。A 质量较大的原子形成的半导体产生的空穴B 价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴C 价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴D 自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴

考题 判断题双极集成电路中的晶体管工作机理依赖于电子或者空穴。A 对B 错

考题 单选题晶体硅或锗中,参与导电的是()。A 离子B 自由电子C 空穴D B和C

考题 单选题下列关于包合物叙述错误的是()A 一种分子被包嵌于另一种分子的空穴中形成包合物B 包合过程属于物理过程C 客分子必须与主分子的空穴形成和大小相适应D 主分子具有较小的空穴结构E 包合物为客分子被包嵌于主分子的空穴中形成的分子囊

考题 单选题晶体二极管是最简单的半导体器件,它是由()组成。A PN结B 电子C 空穴D 原子

考题 单选题晶体的空穴属于()。A 点缺陷B 面缺陷C 线缺陷D 不是缺陷

考题 问答题什么是“空穴”?简述空穴的属性?