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测量35KV及以上多油断路器的非纯瓷套管的介质损耗因数角在断路器的()状态下进行。


参考答案

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考题 测量35kV及以上少油断路器的支柱瓷套连同绝缘拉杆以及灭弧室每个断口1min时的泄漏电流值不应大于10μA。( )

考题 对于35kV以上的变压器,绕组连同套管一起的介质损耗因数tanδ在20℃时应大于1.5%。

考题 多油断路器中油的用途是()A、灭弧介质B、灭弧介质和绝缘介质C、绝缘介质D、以上都不对

考题 测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗正切值tanδ和电容值,应符合下列规定:在温室不低于()℃ 下。A、10%B、20%C、30%D、40%

考题 测量非纯瓷套管的介质损耗因数tgδ和电容值时,同一绕组的套管()。

考题 35kV及以上一般采用电容式胶纸套管芯,35kV以下的高压套管大多采用纯瓷和充油套管。

考题 断路器大修后应进行()试验A、行程及同期试验B、低电压合闸试验C、分合闸时间、分合闸;D、测量绝缘电阻、测量接触电阻E、多油断路器测量套管介损、交流耐压、绝缘油试验F、操作试验

考题 ()电力电容器、绝缘油均应做介质损耗试验。A、电力变压器B、断路器C、电压互感器D、高压套管(纯瓷套管除外)

考题 在拆、装35KV断路器的多油套管引线时,断路器()。A、应在合闸位置B、应在分闸位置C、在分闸或合闸位置均可

考题 测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值,电容型套管的实测电容量值与产品铭牌数值或出厂试验值相比,其差值应在()范围内。

考题 智能电力变压器高压套管监测IED。高压套管监测IED主要用以监测高压套管的电容量和介质损耗因数,用以评估高压套管的可靠性状态,其中介质损耗因数采用绝对测量法。

考题 目前,35kV及以下的高压变电所主要选用()。A、少油断路器B、多油断路器C、真空断路器D、SF6断路器

考题 变压器交接试验时,500kV电压等级的非纯瓷套管的介质损耗因数tgδ不大于()。A、0.5B、0.6C、0.7D、0.8

考题 下列关于电容量和介质损耗试验的说法正确的是()。A、有绕组的被试品进行电容量和介质损耗因数试验时,与被试部位相连的所有绕组端子连在一起加压,其余绕组端子均接地B、电磁式电压互感器应采用末端屏蔽法C、电容量和介质损耗因数试验中,断路器断口间并联电容器在分闸状态下测量,对于瓷柱式断路器,与断口一起测量D、对于罐式断路器(包括GIS中的断路器),按设备技术文件规定进行,测试结果不符合要求时,可对电容器独立进行测量

考题 对于SF6断路器断口间并联电容器电容量和介质损耗因数检测说法错误的是()A、容量初值差不超过±5%(警示值)B、介质损耗因数油浸纸≤0.006C、介质损耗因数膜纸复合≤0.0025D、对于瓷柱式断路器,与断口一起测量

考题 ()断路器必须进行介质损失测量。A、低压B、6kVC、35kVD、35kV以上

考题 40.5kV及以上非纯瓷套管和多油断路器的tanδ应在分闸状态下按每支套管进行测量。

考题 为什么测量110kV及以上高压电容型套管的介质损耗因数时,套管的放置位置不同,往往测量结果有较大的差别?

考题 对35kV以上多油断路器进行tgδ值测量,为什么要比测主变压器的tgδ更有诊断意义?

考题 35KV及以上少油断路器的预防性试验项目有()。A、绝缘电阻、直流泄漏电流B、绝缘电阻、直流泄漏电流、导电回路电阻C、绝缘电阻、导电回路电阻、介质损耗因数、直流泄漏电流

考题 对35kV多油断路器电容套管进行交流耐压,分别对单套管试验时均正常,而几只套管一起试验时往往发生闪络,这是为什么?

考题 单选题在拆、装35KV断路器的多油套管引线时,断路器()。A 应在合闸位置B 应在分闸位置C 在分闸或合闸位置均可

考题 判断题Tan6测量一般多用于35KV及以上的电力变压器,互感器,多油断路器和变压器油的绝缘试验。A 对B 错

考题 单选题关于油断路器,下列说法中正确的是()A 无论是多油断路器,还是少油断路器它们的油都只作为灭弧介质来用B 只有多油断路器的油仅作为灭弧介质来用C 只有少油断路器的油仅作为灭弧介质来用D 无论是多油断路器,还是少油断路器它们的油不但作为灭弧介质来用,还作为绝缘介质来使用

考题 多选题()电力电容器、绝缘油均应做介质损耗试验。A电力变压器B断路器C电压互感器D高压套管(纯瓷套管除外)

考题 判断题智能电力变压器高压套管监测IED。高压套管监测IED主要用以监测高压套管的电容量和介质损耗因数,用以评估高压套管的可靠性状态,其中介质损耗因数采用绝对测量法。A 对B 错

考题 填空题测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值,电容型套管的实测电容量值与产品铭牌数值或出厂试验值相比,其差值应在()范围内。