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晶体管电路中极间电容和由于导线排列不合理引起的电容，都属于寄生电容。

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考题 影响放大电路低频响应的主要因素为:() A、隔直耦合电容B、极间电容C、杂散电容
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考题 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()。A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适
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考题 影响放大电路高频特性的主要因素是()。A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体极间电容和分布电容的存在C、半导体的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适
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考题 在电阻、电感和电容的串联电路中，出现电（）和（）的现象叫串联谐振，在线圈和电容并联电路中，出现并联电路的（）与（）的现象叫并联谐振。
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考题 脉冲电路的基本组成包括晶体管开关和电容电路。
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考题 （）和负载属于电路结构的基本组成。A、电池，灯泡B、电源，导线C、电源，电池D、电阻，电容
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考题 集成运放是个高增益的多级放大器，由于晶体管的极间电容和（）等的影响，容易引起高频自激振荡。
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考题 动态随机存储器是利用（）来存储信息的。A、 双稳态触发器B、 极间电容C、 磁层D、 晶体管
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考题 集成运算是个高增益的多级放大器，由于晶体管的极间电容和（）等的影响。
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考题 放大器引起反馈寄生振荡的内部反馈主要由于晶体管的（）产生的。A、体电阻B、输入电阻C、输出电阻D、极间电容
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考题 放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的。（）
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考题 在OCL电路中，引起交越失真的原因是（）A、输入信号过大B、晶体管输入特性的非线性C、电路中有电容
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考题 正弦波振荡电路的频率应决定于选聘网络，而不应决定于晶体管的极间电容、分布电容等。
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考题 放大电路在信号的高频段时，放大倍数下降的原因是（）A、耦合电容和旁路电路的存在B、晶体管极间电容和分布电容的存在C、晶体管非线性的影响D、放大电路的静态工作点设置不合理
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考题 影响放大电路高频特性的主要因素是（）A、耦合电容和旁路电容的存在B、放大电路的静态工作点不合适C、半导体管的非线性特性D、半导体管极间电容和分布电容的存在
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考题 放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是（）。A、耦合电容和旁路电容的影响B、晶体管极间电容和分布电容的影响C、晶体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点设置不合适
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考题 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性于D、放大电路的静态工信点不合适
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考题 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是半导体管极间电容和分布电容的存在，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适
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考题 放大电路的低频段，影响频率的主要原因是（）A、级间耦合电容B、发射极旁路电容C、三极管极间电容
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考题 高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适
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考题 在晶体管过压保护器中，影响延时时间的因素包括：（）A、晶体管中采用何种半导体材料；B、延时电路中电容的大小；C、基准电压电路中稳压二极管的功率大小；D、电压比较和触发电路中晶体管的放大倍数。
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考题 由于运算放大器内部极间电容和其他参数的影响，很容易产生（）。A、漂移B、回零C、自激振荡D、正反馈
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考题 填空题集成运算是个高增益的多级放大器，由于晶体管的极间电容和（）等的影响。
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考题 问答题MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容？MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容？
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考题 填空题在电阻、电感和电容的串联电路中，出现电（）和（）的现象叫串联谐振，在线圈和电容并联电路中，出现并联电路的（）与（）的现象叫并联谐振。
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考题 单选题动态随机存储器是利用（）来存储信息的。A  双稳态触发器B  极间电容C  磁层D  晶体管
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考题 问答题集成NPN晶体管中的寄生电容有哪几种？
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