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新8A256间隔区等8线位的复合交叉指数为1/2━1━32━64━128，则该指数交叉点数目为多少？
参考答案
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考题
某RAM芯片，其容量为512×8位，该芯片的地址线数目为（1）；数据线数目为（2）。供选择的答案：（1）A. 512B. 10C. 9D. 18（2）A. 3B. 8C. 9D. 18
考题
设16位浮点数，其中阶符1位、阶码值6位、数符1位，尾数8位。若阶码用移码表示，尾数用补码表示，则该浮点数所能表示的数值范围是（ ） 。A.-2^64~(1-2^-8)^64
B.-2^63~(1-2^-8)^63
C.-(1-2^-8)2^64~(1-2^-8)2^64
D.-(1-2^-8)2^63~(1-2^-8)2^63
考题
设存储器容量为32位，字长64位，模块数m=8，分别用顺序方式和交叉方式进行组织。若存储周期T = 200ns，数据总线宽度为64位，总线传送周期为50ns，则顺序存储器和交叉存储器带宽各是多少？
考题
对于下列芯片，它们的片内地址线各有多少根？若分别用以下芯片组成容量为64K字节的模块，试指出分别需要多少芯片？ （1）Intel 2114（1K×4位）； （2）Intel 6116（2K×8位）； （3）Intel 2164（64K×1位）； （4）Intel 3148（4K×8位）。
考题
有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
考题
问答题有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
考题
问答题已知RAM芯片的容量为 （1）16K×8 （2）32K×8 （3）64K×8 （4）2K×8 如果RAM的起始地址为3400H、则各RAM对应的末地址为多少？
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