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问答题
有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?
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考题
关于EDRAM(增强动态随机存取存储器)芯片的说法中,错误的是()。
A.在DRAM芯片上集成了一个SRAM实现的小容量高速缓冲存储器,从而使DRAM芯片的性能得到显著改进B.芯片内的数据输出路径与输入路径没有分开C.在SRAM读出期间可同时对DRAM阵列进行刷新D.芯片内的数据输出路径与输入路径是分开的,允许在写操作完成的同时来启动同一行的读操作
考题
有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读/写周期?死时间率是多少?
考题
某半导体存储器容量8K×8位,可选用的RAM芯片容量为2K×4位,回答以下问题。(1)该存储系统要采用什么形式的扩展方式?(2)总共需要多少个RAM芯片?(3)如果有一个16K×16位的存储器,用1K×4位的DRAM芯片构成,那么总共需要多少DRAM芯片?
考题
用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读/写周期均为0.5μs,CPU在1μs内至少要访存一次,试问采用哪种刷新方式比较合理?相邻两行之间的刷新间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?
考题
某机器的主存储器共32KB,由16片16K×1位(内部采用128×128存储阵列)的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式,且刷新周期为2ms,那么所有存储单元刷新一遍需要()个存储周期。A、128B、256C、1024D、16384
考题
某机字长16位,CPU地址总线18位,数据总线16位,存储器按字编址,CPU的控制信号线有:MREQ#(存储器访问请求,低电平有效),R/W#(读写控制,低电平为写信号,高电平为读信号)。试问:【**,★,包捷5.2,编号3.3,3.5.2】
该机主存采用64K×1位的DRAM芯片(内部为4个128×128阵列)构成最大主存空间,则共需()个芯片;若采用异步刷新方式,单元刷新间隔为2ms,则刷新信号的周期为()。
考题
有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?
考题
已知有16K×1的DRAM芯片,其引脚功能如下:地址输入A6~A0,行地址选择RAS,列地址选择CAS,数据输入端DIN,数据输出端DOUT,控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器,采用奇偶校验。试问:若芯片内部采用128×128矩阵排列,求异步刷新时该存储器的刷新间隔。
考题
问答题用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读/写周期均为0.5μs,CPU在1μs内至少要访存一次,试问采用哪种刷新方式比较合理?相邻两行之间的刷新间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?
考题
问答题某机字长16位,CPU地址总线18位,数据总线16位,存储器按字编址,CPU的控制信号线有:MREQ#(存储器访问请求,低电平有效),R/W#(读写控制,低电平为写信号,高电平为读信号)。试问:【**,★,包捷5.2,编号3.3,3.5.2】
该机主存采用64K×1位的DRAM芯片(内部为4个128×128阵列)构成最大主存空间,则共需()个芯片;若采用异步刷新方式,单元刷新间隔为2ms,则刷新信号的周期为()。
考题
问答题已知有16K×1的DRAM芯片,其引脚功能如下:地址输入A6~A0,行地址选择RAS,列地址选择CAS,数据输入端DIN,数据输出端DOUT,控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器,采用奇偶校验。试问:若芯片内部采用128×128矩阵排列,求异步刷新时该存储器的刷新间隔。
考题
单选题某机器的主存储器共32KB,由16片16K×1位(内部采用128×128存储阵列)的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式,且刷新周期为2ms,那么所有存储单元刷新一遍需要()个存储周期。A
128B
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