考题
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A对B错
考题
高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的（）。A2倍B3倍C5倍
考题
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。A对B错
考题
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。A对B错
考题
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。
考题
在整流二级管上所经受的最大反峰电压，或称最大反向电压，它等于整流二级管所经受的最大直流工作电压。（）
考题
直流耐压试验电压为50000伏，要求高压整流硅堆的额定反峰不得低于（）。A、50000伏B、25000伏C、100000伏D、200000伏
考题
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。
考题
两支ZDL＝100高压硅堆串联使用时，如果不做任何均压措施，则其使用电压应为硅堆额定电压之和的70～80%。
考题
标示为2DL150/0.2的硅堆最大反峰电压为多少？最大整流电流为多少？
考题
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和（）。A、额定整流电流B、额定负荷电流C、额定开断电流
考题
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。
考题
高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的（）。A、2倍B、3倍C、5倍
考题
在直流耐压试验的半波整流电路中，高压硅堆的最大反向工作电压，不得低于试验电压幅值的（）。A、2.83倍；B、2倍；C、1倍；D、1.414倍。
考题
直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时，高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压，其额定整流电流应大于工作电流，并有一定的裕度。
考题
型号为2DL-150／0.2的高压硅堆，容许使用电流为200mA，额定反峰电压为150kV，其使用最高电压不应超过（）kV。A、75；B、150；C、60；D、50。
考题
直流高电压试验，在利用硅堆整流时当单个的电压不够，需要采取多只（）的办法。A、并联B、串联C、串并联D、叠加
考题
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定整流电流和（）。A、额定负荷电流B、额定反峰电压C、额定开断电流D、额定工作电压
考题
工频高电压经高压硅堆半波整流产生的直流高电压，其脉动因数与试品直流泄漏电流的大小成反比，与滤波电容（含试品电容）及直流电压的大小成正比。
考题
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后的脉动直流经（）后会减小直流电压的脉动。A、升压试验变压器TB、降压变压器C、滤波电容CD、保护电阻R
考题
判断题产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A
对B
错
考题
单选题产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和（）。A
额定整流电流B
额定负荷电流C
额定开断电流
考题
判断题直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时，高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压，其额定整流电流应大于工作电流，并有一定的裕度。A
对B
错
考题
单选题高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的（）。A
2倍B
3倍C
5倍
考题
单选题在直流耐压试验的半波整流电路中，高压硅堆的最大反向工作电压，不得低于试验电压幅值的（）A
2.83倍B
2倍C
1倍D
1.414倍
考题
多选题产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有（）A额定整流电流B额定负荷电流C额定反峰电压D额定工作电压
考题
判断题产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。A
对B
错