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功率控制元件高压IGBT采用()驱动。
A、电流
B、电压
C、电压电荷
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考题
5、关于IGBT,下面()不正确。A.IGBT是复合型器件,输入端是MOSFET,输出端是双极晶体管;B.IGBT存在电导调制效应;C.IGBT的开关速度较功率MOSFET快;D.IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件
考题
16、关于IGBT,下面()正确。A.IGBT是复合型器件,输入端是MOSFET,输出端是双极晶体管;B.IGBT存在电导调制效应;C.IGBT的开关速度较功率MOSFET快;D.IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件
考题
通用变频器的逆变电路中功率开关管现在一般采用IGBT模块。
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