网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：
题目内容
（请给出正确答案）
16、关于IGBT，下面（）正确。
A．IGBT是复合型器件，输入端是MOSFET，输出端是双极晶体管；
B．IGBT存在电导调制效应；
C．IGBT的开关速度较功率MOSFET快；
D．IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件
参考答案和解析
BC
更多 “16、关于IGBT，下面（）正确。A．IGBT是复合型器件，输入端是MOSFET，输出端是双极晶体管；B．IGBT存在电导调制效应；C．IGBT的开关速度较功率MOSFET快；D．IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件” 相关考题
考题
SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。
A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE
考题
案例九：
下面是某求助者16PF的测验结果：
关于16PF的正确说法包括()。多选A. 尽量不选中性答案
B. 用于了解心理障碍的个性原因
C. 可以更改测题的语句
D. 因素分析法编制而成
考题
GBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
考题
IGBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
考题
下面说法中不正确的是（）A、工频机相对高频机抗过流能力更强B、在线式UPS正常工作状况下UPS逆变始终处于工作状态C、停电后，UPS能够输出稳定的直流电D、IGBT、SCR是目前使用最广泛的功率器件
考题
IGBT的主体部分与GTR类似，控制部分与场效应管类似，下面属于IGBT具有的优点的有（）A、电磁噪音很小B、电流波形大为改善，电机的转矩增大C、IGBT管二次击穿现象小D、最大管子容量比GTO管大的多
考题
单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。A
GTO和GTR；B
TRIAC和IGBT；C
MOSFET和IGBT；D
SCR和MOSFET；
考题
填空题变流器IGBT故障的触发条件是主控发出变流启动信号，变流器IGBT OK信号丢失持续（）ms，报此故障.
热门标签
最新试卷