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晶体管的发射区的作用是向基区发射自由电子,集电区的作用是收集这些自由电子。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案

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考题 NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。

考题 晶体管能够放大的内部条件是()。 A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

考题 晶体管结构特点是:发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。

考题 2、NPN型晶体管处于放大状态时,由发射区注入基区的自由电子绝大多数被复合。

考题 三极管工作在放大状态 下,载流子由发射区发射,基区输运,集电区收集 三极管工作在放大状态 下,载流子由发射区发射,基区输运,集电区收集

考题 NPN型晶体管和PNP型晶体管都含有三个掺杂区,分别是发射区,基区和集电区

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考题 双极型晶体管的制作工艺流程中,首先制备的是 ,其次制备的是 ,最后制备的是A.集电区、基区、发射区B.基区、发射区、集电区C.栅区、源区、漏区D.基区、集电区

考题 NPN型晶体管处于放大状态时,由发射区注入基区的自由电子绝大多数被复合。