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NPN型晶体管处于放大状态时，由发射区注入基区的自由电子绝大多数被复合。

参考答案和解析
B
更多 “NPN型晶体管处于放大状态时，由发射区注入基区的自由电子绝大多数被复合。” 相关考题
考题 晶体管的发射区的作用是向基区发射自由电子,集电区的作用是收集这些自由电子。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()
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考题 NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。
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考题 晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 晶体管能够放大的内部条件是()。 A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
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考题 晶体管具备电流放大的内部条件是()。 A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合
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考题 NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射极电压与发射极电流的关系为（　　）。
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考题 正常放大时，三极管耗能最大的是（）.A、发射区B、基区C、发射结D、集电结
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考题 NPN型晶体管处于放大状态时，各级的电位关系是（）。A、UC﹥UE﹥UBB、UC﹥UB﹥UEC、UC﹤UB﹤UE
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考题 对NPN三极管来说，下列说法正确的是（）。A、当发射极正向偏置时，从发射区来的少数截流子电子很容易越过发射区扩散到基区；B、扩散到基区的电子全被空穴复合掉了；C、外电路不断地向发射区补充电子，以维持多数载流子的浓度差；D、以上说法都错。
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考题 用万用表测量某电子线路中的晶体管测得VE=-3V、VCE=6V、VBC=-5.3V，则该管是（）。A、PNP型，处于放大工作状态B、PNP型处于截止工作状态C、NPN型，处于放大工作状态D、NPN型处于截止工作状态
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考题 晶体管分为三层分别为（）A、发射区B、放大区C、集电区D、基区E、扩张区
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考题 NPN型晶体管处于放大状态时，各极电压关系是（）。A、UC＞UE＞UBB、UC＞UB＞UEC、UC＜UB＜UED、UC＜UE＜UB
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考题 三极管的电流放大作用取决于电子在（）中扩散与复合的比例。A、基极B、基区C、集电压D、发射区
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考题 每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。
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考题 晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。A、基区B、发射区C、集电区D、发射区和集电区
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考题 晶体管具备电流放大的内部条件是（）。A、基区薄而其杂质浓度低B、基区杂质浓度高C、降低发射区杂质浓度D、加强电子在基区的复合
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考题 叙述晶体三极管电流的传输过程（）。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子，在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程
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考题 造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。（）A、基区电导调制效应，发射区有偏压效应B、基区有偏压效应，发射区电导调制效应C、基区电导调制效应，基区有偏压效应D、发射区有偏压效应，基区有偏压效应
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考题 无论是NPN型管还是PNP型管，它们内部均含有三个区，即发射区、基区和（）。
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考题 三极管工作在放大状态时，发射区是（）载流子，基区则是作为输送和控制载流子的基地，集电区是（）载流子的。
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考题 三极管能放大的内因是：发射区掺杂浓度（）、基区宽度（）且杂质浓度（）、集电结面积（）；外部条件是：发射结处于（）偏置，集电结处于（）偏置。
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考题 NPN型三极管处于放大状态时，各极电位的关系是（）A、UcUbUeB、UcbbUeC、UcUeUbD、Uc=Ub=Ue
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考题 NPN型晶体三极管处于放大状态时，各极电位关系是（）。A、UcUeUbB、UcUbUeC、UcD、Uc
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考题 填空题在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。
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考题 单选题NPN型晶体管处于放大状态时，管脚电位应有（）。A VC＞VE＞VBB VC＞VB＞VEC VC＞VB＞VED VB＞VE＞VC
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考题 填空题每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。
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考题 判断题标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。A 对B 错
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