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1.PNP型和NPN型三极管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。

A．可以调换使用

B．不可以调换使用

C．PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用

D．不确定

参考答案和解析
B
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考题 若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后，若以空穴导电为主的称______，若以自由电子导电为主的称______。A.PNP型半导体／NPN型半导体B.N型半导体／P型半导体C.PN结／PN结D.P型半导体／N型半导体
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考题 三极管的发射区和集电区是同类型半导体,因此,发射极和集电极是可以互换使用的。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 三极管按结构不同分成NPN和PNP两种类型,NPN型三极管的结构是由两个()的三层半导体制成。 A.P区B.PN结C.N区D.PN极
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考题 NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。
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考题 晶体管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体(N型的或P型的)构成,故E极和C极可以互换使用。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使用。
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考题 怎样区分N型半导体和P型半导体（）A、N型半导体掺入5价元素，P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素，P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同，但接头不同D、N型半导体的空穴过剩，P型半导体的空穴不
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考题 按照半导体的结构类型，可以将三极管划分为NPN型和（）型。A、PPNB、NPIC、PNPD、NIP
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考题 （）都不能单独构成半导体器件，PN结才是构成半导体器件的基本单元。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、NPN型半导体
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考题 三极管的集电区、发射区用的是同一种杂质半导体，因此，可将三极管的集电极和发射极可以互换使用。
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考题 NPN型三极管的发射区中多数载流子是电子
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考题 三极管按导电类型可分（）A、NPN及PNP三极管B、N型三极管C、P型三极管D、PNP三极管
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考题 晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料（N型或P型）构成的，所发射极和集电极可以互换。
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考题 MOS管的栅极与双极型三极管的相对应（）A、基极B、集电极C、发射极D、发射极或集电极
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考题 三极管按结构不同分成NPN和PNP两种类型，NPN型三极管的结构是由两个（）的三层半导体制成。A、P区B、PN结C、N区D、PN极
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考题 用万用表的黑表笔接触三极管的基极，红表笔接触另外2个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为（）。A、NPN型B、PNP型C、共发射极型D、共集电极型
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考题 在NPN型三极管放大电路中，如果基极与发射极短路则表示（）。A、管子深度饱和B、管子截止C、集电极正偏压
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考题 在本质半导体加入三价的硼，则成为（）。A、N型B、P型C、NPN型D、PNP型
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考题 将硼元素掺进硅晶体内，则成为何种半导体？（）A、N型B、P型C、本质型半导体D、NPN型
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考题 NPN型光敏三极管在应用电路中，应接成（）形式A、集电极正偏，发射极反偏B、集电极正偏，发射极正偏C、集电极反偏，发射极正偏D、集电极反偏，发射极反偏
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考题 PNP型或NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。A、可以调换使用B、不可以调换使用C、PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用
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考题 三极管有（）型和（）型两种结构，三极管中集电区与基区之间的PN结称为（）结，基区与发射区之间的PN结成为（）结。
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考题 晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。
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考题 在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端应该是（）。A、PNP型的基极B、PNP型的集电极C、NPN型的发射极D、PNP型的发射极
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考题 NPN型三极管发射极电流等于基极电流和集电极电流之和
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考题 NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管（）A、集电极对发射极的电压VCE下降B、基极电流增大C、集电极对发射极的电压VCE上升
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考题 单选题若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后，若以空穴导电为主的称（），若以自由电子导电为主的称（）。A PNP型半导体／NPN型半导体B N型半导体／P型半导体C PN结／PN结D P型半导体／N型半导体
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考题 判断题标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。A 对B 错
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