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晶型沉淀的条件是（）、（）、（）、（）。   

参考答案

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考题 用洗涤方法可除去的沉淀杂质是() A、混晶及沉淀杂质B、包藏及沉淀杂质C、吸附及沉淀杂质D、后沉淀杂质
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考题 沉淀重量法要求沉淀应具备的条件为（ ）。A．溶解度小B．沉淀纯净C．易于过滤与洗涤D．易于转化为称量形式E．应为晶型沉淀
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考题 固体分散体的共沉淀物中的药物是以稳定晶型形式存在的。( )此题为判断题(对，错)。
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考题 重量分析中,得到较大的晶型沉淀时,其生成沉淀的聚集速度小于定向速度。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 重量分析中要求沉淀物要纯净，（）。A、沉淀中不能含有水分子B、沉淀式与称量式完全一致C、沉淀为晶型沉淀D、要避免杂质的沾污
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考题 下列不是晶型沉淀所要求的沉淀条件的是（）。A、沉淀作用宜在较浓溶液中进行B、应在不断的搅拌下加入沉淀剂C、沉淀作用宜在冷溶液中进行D、应进行沉淀的陈化
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考题 在重晶石分析中为了获得理想的BaSO4晶型沉淀，必须按照哪些条件进行？
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考题 如何控制沉淀条件以获得晶型沉淀？
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考题 造成后沉淀的原因，说法错误的是（）。A、由于沉淀表面吸附了构晶离子B、由于沉淀表面吸附的构晶离子再吸附溶液中带相反电荷的杂质离子C、由于沉淀陈化的时间不够长D、由于在沉淀表面附近形成了过饱和溶液
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考题 用洗涤的方法能有效地提高沉淀纯度的是（）。A、混晶共沉淀B、吸附共沉淀C、包藏共沉淀D、后沉淀
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考题 形成混晶共沉淀的主要条件是什么？常用来进行定性鉴定的混晶体系是什么？
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考题 获得晶型沉淀控制的主要条件是什么？
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考题 在可可脂中，（）晶型是占主要的。A、γ-晶型B、α-晶型C、β-晶型D、β′-晶型
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考题 混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
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考题 如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀
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考题 构晶离子的定向速度决定于（）A、沉淀剂的浓度B、样品溶液的温度C、构晶离子的电量D、构晶离子组成沉淀物的极性
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考题 简要说明晶型沉淀的沉淀条件。
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考题 沉淀洗涤的目的是洗去由于吸留或混晶影响沉淀纯净的杂质。
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考题 在晶型沉淀的沉淀过程中，若加入沉淀剂过快，除了造成沉淀剂局部过浓影响晶型外，还会发生吸留现象。
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考题 减少或消除混晶沉淀的方法是在沉淀时加入沉淀剂的酸度慢，沉淀进行陈化。
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考题 在晶型沉淀的沉淀过程中，需要快速的加入沉淀剂。
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考题 问答题在重晶石分析中为了获得理想的BaSO4晶型沉淀，必须按照哪些条件进行？
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考题 填空题晶型沉淀的条件是（）、（）、（）、（）。
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考题 单选题构晶离子的定向速度决定于（）A 沉淀剂的浓度B 样品溶液的温度C 构晶离子的电量D 构晶离子组成沉淀物的极性
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考题 单选题在可可脂中，（）晶型是占主要的。A γ-晶型B α-晶型C β-晶型D β′-晶型
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考题 填空题混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
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考题 单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A 表面吸附B 混晶C 机械吸留D 后沉淀
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