考题
在沉淀形成过程中,待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成()
A、吸留B、混晶C、包藏D、后沉淀
考题
再热裂纹的特性之一是()
A、沿晶断裂B、穿晶断裂C、沿晶+穿晶断裂D、混晶断裂
考题
影响混悬剂稳定性的主要因素不包括A、混悬粒子的沉降B、微粒增长与晶型的转变C、微粒间的排斥力与吸引力D、温度的影响E、制备的方法
考题
沉淀完成后进行陈化是为了()。
A、使无定形沉淀转变为晶形沉淀B、使沉淀更为纯净，同时使颗粒变大C、除去混晶共沉淀带入的杂质D、加速后沉淀作用
考题
能使晶型转变的外界条件有()
A、干热B、熔融C、粉碎D、混悬于水中E、重结晶
考题
焊拉之头中结晶裂纹的开裂形式是（）A、沿晶B、穿晶C、混晶
考题
陈化过程可以除去由吸咐和吸留引入的杂质离子，但不能除去由混晶共沉淀带入的杂质离子。（）
考题
共沉淀现象可能是由（）等原因产生的。A、表面吸附B、生成混晶C、放置时间长D、吸留E、包藏
考题
形成共沉淀现象的原因有（）。A、表面吸咐B、生成混晶C、吸留D、陈化E、包藏
考题
用洗涤的方法能有效地提高沉淀纯度的是（）。A、混晶共沉淀B、吸附共沉淀C、包藏共沉淀D、后沉淀
考题
由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。
考题
共沉淀现象是由于沉淀的（）作用，混晶或固溶体的形成，吸留和包藏等原因引起的。
考题
（）是利用颜料、染料的吸色性质来实现的，通常选择黄、晶、青三种颜色为三基色。A、生理混色法B、空间混色法C、相减混色法D、时间混色法
考题
Ra2+与Ba2+的离子结构相似，因此可以利用BaSO4沉淀从溶液中富集微量Ra2+，这种富集方式是利用了（）A、混晶共沉淀B、包夹共沉淀C、表面吸附共沉淀D、固体萃取共沉淀
考题
下列哪种情况是均匀沉淀法不能达到的目的（）A、避免局部过浓B、沉淀均匀、缓慢的析出C、生成颗粒粗大的沉淀D、防止生成混晶共沉淀
考题
如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）A、后沉淀B、机械吸留C、包藏D、混晶
考题
混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
考题
如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀
考题
共沉淀分离根据共沉淀剂性质可分为混晶共沉淀分离和胶体凝聚共沉淀分离。
考题
在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常用待测离子一道与够晶离子形成（）A、吸留B、混晶C、包夹D、继沉淀
考题
减少或消除混晶沉淀的方法是在沉淀时加入沉淀剂的酸度慢，沉淀进行陈化。
考题
单选题当温度大于等强温度时，易产生（）A
解理断裂B
混晶断裂C
沿晶断裂D
穿晶断裂
考题
填空题混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
考题
问答题非晶/非晶聚合物共混物的形态结构有哪些类型？
考题
单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A
表面吸附B
混晶C
机械吸留D
后沉淀