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对于三极管的功率在1W以上的大功率管,可用万用表的()挡测量。

  • A、R×1或R×10
  • B、R×100或R×10
  • C、R×1或R×1K
  • D、R×100或R×1K

参考答案

更多 “对于三极管的功率在1W以上的大功率管,可用万用表的()挡测量。A、R×1或R×10B、R×100或R×10C、R×1或R×1KD、R×100或R×1K” 相关考题
考题 数字万用表测量三极管β极应拨()挡位。 A、DHmB、hFEC、KH2D、ACA

考题 半导体功率管大小以1W为界限。() 此题为判断题(对,错)。

考题 元件装焊顺序是:() A.电阻器一二极管一三极管一电容器一集成电路一大功率管B.电阻器一三极管一电容器一二极管一集成电路一大功率曾C.电阻器一二极管一电容器一三极管一大功率管一集成电路D.电阻器一二极管一电容器一三极管一集成电路一大功率管

考题 元器件装焊顺序是:()。 A.电阻器→二极管→三极管→电容器→集成电路→大功率管B.电阻器→三极管→电容器→二极管→集成电路→大功率管C.电阻器→二极管→电容器→三极管→大功率管→集成电路D.电阻器→二极管→电容器→三极管→集成电路→大功率管

考题 三极管的PC大于1 W为大功率管。()

考题 可用万用表在R×l k挡测量发光二极管的导通性。()

考题 检测小功率晶体三极管的正反向电阻,可以用万用表R×1Ω或R×10KΩ挡。

考题 一个输出功率为10W的扩音机电路,若用乙类推挽功放,则应选用额定功耗至少应为();A、2W的功率管1个B、1W的功率管1个C、2W的功率管2个D、1W的功率管2个

考题 三极管的功率大于等于()为大功率管。A、1WB、0.5WC、2WD、5W

考题 电气设备的绝缘电阻可用万用表的R×10k挡测量。()

考题 对于三极管的功率在1W以上的大功率管,可用万用表的()挡测量。A、R×1或R×10B、R×100或R×10C、R×1或R×1KD、R×100或R×1K

考题 对于大功率管,为防止功率过高而烧坏管子。常在三极管上加()。

考题 晶体三极管3AX中X表示()。A、高频小功率管B、高频大功率管C、低频小功率管D、低频大功率管

考题 用万用表测量三极管时,万用表欧姆挡应该拨到()。A、最低挡B、中间挡C、最高挡D、空挡

考题 元件装焊顺序是:()A、电阻器一二极管一三极管一电容器一集成电路一大功率管B、电阻器一三极管一电容器一二极管一集成电路一大功率曾C、电阻器一二极管一电容器一三极管一大功率管一集成电路D、电阻器一二极管一电容器一三极管一集成电路一大功率管

考题 若万用表l0k挡测量三极管C-E极间电阻,若正反电阻都只有几百kΩ,说明三极管性能良好。

考题 用数字万用表什么挡可以测量三极管的直流放大倍数()。A、电阻挡B、HFE挡C、二极管挡

考题 万用表测量三极管时,量程通常使用×100或()挡。

考题 三极管3AC30C其中AC含义正确的是()。A、NPN型硅材料,低频大功率管B、NPN型锗材料,高频大功率管C、PNP型硅材料,高频大功率管D、PNP型锗材料,高频大功率管

考题 在被测电阻带电的情况下,可用万用表欧姆挡测量电阻。()

考题 半导体功率管大小以1W为界限。

考题 单选题按功率来分,晶体管可分为()。A 大功率管B 中功率管C 小功率管D 以上都是

考题 单选题用万用表测量小功率时,不能将万用表的旋钮拨到()测量二极管的正反向电阻值,因为该挡电压较高,容易损坏二极管A 电阻R*100挡B R*1k挡C R*10k挡

考题 单选题用万用表测量三极管时,万用表欧姆挡应该拨到()。A 最低挡B 中间挡C 最高挡D 空挡

考题 填空题万用表测量三极管时,量程通常使用×100或()挡。

考题 单选题用万用表测三极管时,对大功率管应使用()档。A R³1或³10B R³100或R³1KC R³10KD 任意档位

考题 单选题晶体三极管3DA的器件类别是()A 低频小功率管B 高频大功率管C 高频小功率管D 低频大功率管

考题 单选题用万用表测三极管时,对小功率管应使用()档。A R³1或³10B R³100或R³1KC R³10KD 任意档位