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对高能电子束剂量跌落的度量可用剂量梯度G表示，其值大小为（）
- A、1-1.5
- B、1.5-2
- C、2-2.5
- D、2.5-3
- E、3-3.5
参考答案
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考题
对高能电子束剂量分布特点的描叙，哪项不正确()。A、表面剂量随能量的增加而增加B、从表面到dmax为剂量建成区，区宽随射线能量增加而增加C、从dmax得到d80(d85)为治疗区，剂量梯度变化较小D、D80(d85)以后，为剂量跌落区，随射线能量增加剂量梯E、度变徒随电子束能量增加，皮肤剂量和尾部剂量增加
考题
电子束百分深度剂量随能量的改变而改变，其变化特点是（）A、随着电子束能量的增加，其表面剂量降低、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加，并且X线污染减小B、随着电子束能量的增加，其表面剂量降低、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染增加C、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染增加D、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加，并且X线污染增加E、随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染减小
考题
高能电子束的深度剂量曲线分为剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区和X射线污染区，治疗肿瘤时应使靶区位于（）A、剂量建成区B、高剂量坪区C、剂量建成区和高剂量坪区D、高剂量坪区和剂量跌落区E、剂量跌落区和X射线污染区
考题
描述照射对电子束百分深度剂量的影响，正确的是（）A、较高能量的电子束，照射野对百分深度剂量无影响B、较低能量的电子束，照射野对百分深度剂量无影响C、较低能量的电子束，较大照射野对百分深度剂量影响较大D、较高能量的电子束，较大照射野对百分深度剂量影响较大E、较高能量的电子束，较小照射野对百分深度剂量影响较大
考题
高能电子线等剂量线分布的显著特点是（）。A、随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向内收缩，并随电子束能量而变化B、随深度的增加，低值等剂量线向内收缩，高值等剂量线向外侧扩张，并随电子束能量而变化C、随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向内收缩，不随电子束能量而变化D、随深度的增加，低值等剂量线向内收缩，高值等剂量线向内收缩，不随电子束能量而变化E、随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向外侧扩张，并随电子束能量而变化
考题
当高能电子束能量增大时，其PDD曲线随能量变化的关系是（）A、PDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加B、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加C、PDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加D、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加E、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少
考题
高能电子束的PDD曲线可大致分为以下几个区域（）。A、剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B、表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C、表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区D、表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区E、剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区
考题
单选题高能电子线等剂量线分布的显著特点包括（ ）。A
随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向内收缩，并随电子束能量而变化B
随深度的增加，低值等剂量线向内收缩，高值等剂量线向外侧扩张，并随电子束能量而变化C
随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向内收缩，不随电子束能量而变化D
随深度的增加，低值等剂量线向内收缩，高值等剂量线向内收缩，不随电子束能量而变化E
随深度的增加，低值等剂量线向外侧扩张，高值等剂量线向外侧扩张，并随电子束能量而变化
考题
单选题高能电子束的PDD曲线可大致分为以下几个区域？（ ）A
剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B
表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C
表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区D
表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区E
剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区
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