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抑制性突触后电位是
A．去极化局部电位
B．超极化局部电位
C．具有全或无特性
D．突触后膜Na+通透性增加所致
E．突触前膜递质释放减少所致
参考答案
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考题
抑制性突触后电位是A.太极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特征SXB
抑制性突触后电位是A.太极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特征D.突触前膜递质释放减少所致E.突触后膜对Na+通透性增加所致
考题
兴奋性突触后电位的形成是因为( )。A．突触后膜对Na+通透性升高，局部去极化B．突触后膜对Cl-通透性升高，局部去极化C．突触后膜对Cl-通透性升高，局部超极化D．突触后膜对K+通透性升高，局部超极化E．突触后膜对K+通透性升高，局部去极化
考题
抑制性突触后电位是 A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性SX
抑制性突触后电位是A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性D.突触后膜NA+通透性增加所致E.突触前膜递质释放减少所致
考题
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致
考题
关于抑制性突触后电位性质和机制的正确描述是（ ）。A.具有全或无性质
B.属去极化局部电位
C.由突触后膜对Na+通透性增加所致
D.属超极化局部电位
E.由突触前膜递质释放量减少所致
考题
单选题下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A
是局部除极化电位B
具有全或无性质C
是局部超极化电位D
由突触前膜递质释放量减少所致E
由突触后膜对钠通透性增加所致
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