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兴奋性突触后电位的形成是因为( )。

A.突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化

B.突触后膜对Cl-通透性升高,局部去极化

C.突触后膜对Cl-通透性升高,局部超极化

D.突触后膜对K+通透性升高,局部超极化

E.突触后膜对K+通透性升高,局部去极化


参考答案

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考题 抑制性突触后电位() A、是去极化局部电位B、具有全或无性质C、是超极化局部电位D、是突触前膜递质释放量减少所致E、是突触后膜Na+通透性增加所致

考题 抑制性突触后电位A.是去极化局部电位B.有“全或无”性质C.是超极化局部电位D.是突触前膜递质释放量减少所致E.是突触后膜Na+通透性增加所致

考题 抑制性突触后电位A.是去极化局部电位B.是超极化局部电位C.具有全或无特征D.是突触前膜递质释放减少所致E.是突触后膜对Na+通透性增加所致

考题 关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述,哪一项是错误的A.突触前末梢去极化B.Ca2+由膜内进入突触前膜内C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合D.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

考题 关于抑制性突触后电位产生过程的描述,错误的是()A.突触后膜对Cl-或K+的通透性升高B.突触前轴突末梢去极化C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合D.Ca2+由膜外进人突触前膜内E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

考题 关于兴奋性突触传递过程的叙述,错误的是()A.突触后膜膜电位去极化达到阈值时,引起突触后神经元发放冲动B.突触后膜对Na+、K+、Ca2+,特别是对K+的通透性升高C.突触前轴突末梢去极化D.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合E.Ca2+由膜外进入突触前膜内

考题 对于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是A.突触前轴突末梢超极化B.对Ca2+、K+通透性增大C.突触后膜出现超极化D.突触后膜去极化E.突触前膜去极化

考题 抑制性突触后电位是 A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性SX 抑制性突触后电位是A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性D.突触后膜NA+通透性增加所致E.突触前膜递质释放减少所致

考题 抑制性突触后电位是A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性D.突触后膜Na+通透性增加所致E.突触前膜递质释放减少所致

考题 抑制性突触后电位是A、去极化局部电位B、超极化局部电位C、具有全或无特征D、突触前膜递质释放减少所致E、突触后膜对Na+通透性增加所致

考题 下述关于EPSP产生过程的叙述哪一项是错误的?A. 突触前膜去极化 B. Ca2+经突触前膜进入突触小体 C. 突触小泡释放兴奋性递质并与后膜受体结合 D. 突触后膜对Na+、K+、Cl-特别是Na+通透性增强 E. Na+内流突触后膜超极化产生EPSP

考题 关于抑制性突触后电位,以下正确的是 A.是局部去极化电位 B.是局部超极化电位 C.由突触前膜递质释放量减少所致 D.由突触后膜对钠通透性增加所致

考题 抑制性突触后电位是A.去极化局部电位 B.超极化局部电位 C.具有全或无特性 D.突触后膜Na通透性增加所致 E.突触前膜递质释放减少所致

考题 对兴奋性突触后电位产生过程的描述,错误的是(  ) A.突触前膜去极化 B.Ca2+促进小泡释放递质 C.递质与后膜受体结合 D.后膜主要对Cl-通透性增高 E.后膜发生局部去极化

考题 关于抑制性突触后电位性质和机制的正确描述是( )。A.具有全或无性质 B.属去极化局部电位 C.由突触后膜对Na+通透性增加所致 D.属超极化局部电位 E.由突触前膜递质释放量减少所致

考题 关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()。A、突触前轴突末梢超极化B、对Ca2+、K+通透性增大C、突触后膜出现超极化D、突触后膜去极化E、突触后膜出现复极化

考题 兴奋性突触后电位的形成是因为()。A、突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化B、突触后膜对Cl一通透性升高,局部去极化C、突触后膜对Cl一通透性升高,局部超极化D、突触后膜对K+通透性升高,局部超极化E、突触后膜对K+通透性升高,局部去极化

考题 关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()A、突触前轴突末梢超极化B、突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大C、突触后膜去极化D、突触后膜电位负值增大,出现超极化E、突触后膜对K+、Na+,尤其是K+的通透性增大

考题 对于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()A、突触前轴突末梢超极化B、对Ca2+、K+通透性增大C、突触后膜出现超极化D、突触后膜去极化E、突触前膜去极化

考题 抑制性突触后电位()A、是去极化局部电位B、是超极化局部电位C、具有全或无特征D、是突触前膜递质释放减少所致E、是突触后膜对Na通透性增加所致

考题 关于抑制性突触后电位产生过程的描述,错误的是()A、突触前轴突末梢去极化B、Ca2+由膜外进入突触前膜内C、突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合D、突触后膜对Cl-或K+的通透性升高E、突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

考题 单选题EPSP与IPSP共同的特征为(  )。A 突触前膜都去极化B 突触前膜都超极化C 突触后膜都去极化D 突触后膜都超极化E 突触后膜对离子的通透性相同

考题 单选题关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()A 突触前轴突末梢超极化B 突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大C 突触后膜去极化D 突触后膜电位负值增大,出现超极化E 突触后膜对K+、Na+,尤其是K+的通透性增大

考题 单选题对于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()A 突触前轴突末梢超极化B 对Ca2+、K+通透性增大C 突触后膜出现超极化D 突触后膜去极化E 突触前膜去极化

考题 单选题兴奋性突触后电位的形成是因为()。A 突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化B 突触后膜对Cl一通透性升高,局部去极化C 突触后膜对Cl一通透性升高,局部超极化D 突触后膜对K+通透性升高,局部超极化E 突触后膜对K+通透性升高,局部去极化

考题 单选题抑制性突触后电位()A 是去极化局部电位B 是超极化局部电位C 具有全或无特征D 是突触前膜递质释放减少所致E 是突触后膜对Na通透性增加所致

考题 单选题兴奋性突触后电位的形成是因为(  )。A 突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化B 突触后膜对Cl-通透性升高,局部去极化C 突触后膜对Cl-通透性升高,局部超极化D 突触后膜对K+通透性升高,局部超极化E 突触后膜对K+通透性升高,局部去极化