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题目内容
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兴奋性突触后电位的形成是因为( )。
A.突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化
B.突触后膜对Cl-通透性升高,局部去极化
C.突触后膜对Cl-通透性升高,局部超极化
D.突触后膜对K+通透性升高,局部超极化
E.突触后膜对K+通透性升高,局部去极化
参考答案
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考题
关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述,哪一项是错误的A.突触前末梢去极化B.Ca2+由膜内进入突触前膜内C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合D.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
考题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,错误的是()A.突触后膜对Cl-或K+的通透性升高B.突触前轴突末梢去极化C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合D.Ca2+由膜外进人突触前膜内E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
考题
关于兴奋性突触传递过程的叙述,错误的是()A.突触后膜膜电位去极化达到阈值时,引起突触后神经元发放冲动B.突触后膜对Na+、K+、Ca2+,特别是对K+的通透性升高C.突触前轴突末梢去极化D.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合E.Ca2+由膜外进入突触前膜内
考题
抑制性突触后电位是 A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性SX
抑制性突触后电位是A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性D.突触后膜NA+通透性增加所致E.突触前膜递质释放减少所致
考题
下述关于EPSP产生过程的叙述哪一项是错误的?A. 突触前膜去极化
B. Ca2+经突触前膜进入突触小体
C. 突触小泡释放兴奋性递质并与后膜受体结合
D. 突触后膜对Na+、K+、Cl-特别是Na+通透性增强
E. Na+内流突触后膜超极化产生EPSP
考题
关于抑制性突触后电位性质和机制的正确描述是( )。A.具有全或无性质
B.属去极化局部电位
C.由突触后膜对Na+通透性增加所致
D.属超极化局部电位
E.由突触前膜递质释放量减少所致
考题
兴奋性突触后电位的形成是因为()。A、突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化B、突触后膜对Cl一通透性升高,局部去极化C、突触后膜对Cl一通透性升高,局部超极化D、突触后膜对K+通透性升高,局部超极化E、突触后膜对K+通透性升高,局部去极化
考题
关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()A、突触前轴突末梢超极化B、突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大C、突触后膜去极化D、突触后膜电位负值增大,出现超极化E、突触后膜对K+、Na+,尤其是K+的通透性增大
考题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,错误的是()A、突触前轴突末梢去极化B、Ca2+由膜外进入突触前膜内C、突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合D、突触后膜对Cl-或K+的通透性升高E、突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
考题
单选题关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()A
突触前轴突末梢超极化B
突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大C
突触后膜去极化D
突触后膜电位负值增大,出现超极化E
突触后膜对K+、Na+,尤其是K+的通透性增大
考题
单选题兴奋性突触后电位的形成是因为()。A
突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化B
突触后膜对Cl一通透性升高,局部去极化C
突触后膜对Cl一通透性升高,局部超极化D
突触后膜对K+通透性升高,局部超极化E
突触后膜对K+通透性升高,局部去极化
考题
单选题兴奋性突触后电位的形成是因为( )。A
突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化B
突触后膜对Cl-通透性升高,局部去极化C
突触后膜对Cl-通透性升高,局部超极化D
突触后膜对K+通透性升高,局部超极化E
突触后膜对K+通透性升高,局部去极化
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