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兴奋性突触后电位的形成,突触后膜表现为
A.反极化
B.复极化
C.局部去极化
D.超极化
E.形成动作电位
B.复极化
C.局部去极化
D.超极化
E.形成动作电位
参考答案
参考解析
解析:兴奋性突触后电位的形成是因为突触后膜对Na
(为主)的通透性升高,引起Na
的内流,使膜内负电位绝对值减少,形成局部去极化电位引进突触后神经元产生兴奋。
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考题
由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
考题
兴奋性突触后电位A.突触前膜去极化 B.Ca2+流入突触前膜的量C.递质释放 SXB
兴奋性突触后电位A.突触前膜去极化B.Ca2+流入突触前膜的量C.递质释放D.产生突触后电位E.Na+通透性增大
考题
兴奋性突触后电位的形成是因为()。A、突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化B、突触后膜对Cl一通透性升高,局部去极化C、突触后膜对Cl一通透性升高,局部超极化D、突触后膜对K+通透性升高,局部超极化E、突触后膜对K+通透性升高,局部去极化
考题
单选题由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括()A
兴奋性突触后电位和局部电位B
抑制性突触后电位和局部电位C
兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D
兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E
兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
考题
单选题兴奋性突触后电位的形成是因为( )。A
突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化B
突触后膜对Cl-通透性升高,局部去极化C
突触后膜对Cl-通透性升高,局部超极化D
突触后膜对K+通透性升高,局部超极化E
突触后膜对K+通透性升高,局部去极化
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