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在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是
A．31～40℃
B．21～30℃
C．10℃以内
D．11～20℃
E．5℃
参考答案
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考题
真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有2种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是A、31～40℃B、21～30℃C、10℃以内D、11～20℃E、5℃在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是A、烤瓷失败B、烤瓷失败，烤瓷件报废C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连D、炉膛报废E、发热体损坏真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
考题
真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括( )。A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是( )。A、31～40℃B、21～30℃C、10℃以内D、11～20℃E、5℃在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是( )。A、烤瓷失败B、烤瓷失败，烤瓷件报废C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连D、炉膛报废E、发热体损坏
考题
真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是A、31～40℃B、21～30℃C、10℃以内D、11～20℃E、5℃在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是A、烤瓷失败B、烤瓷失败，烤瓷件报废C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连D、炉膛报废E、发热体损坏请帮忙给出每个问题的正确答案和分析，谢谢！
考题
金属烤瓷桥制作的工艺流程正确的是 ( )A.代型的制作-上架-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉
B.上架-代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉
C.代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-上架-瓷层的堆塑-修形-上釉
D.代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-上架-修形-上釉
E.上架-代型的制作-瓷层的堆塑-金属基底冠蜡型的制作-修形-上釉
考题
陶瓷制作的基本工艺流程为（）。A、淘泥、摞泥、捺水、拉坯、印坯、修坯、画坯、上釉、烧窑、成瓷B、淘泥、摞泥、拉坯、印坯、修坯、捺水、画坯、上釉、烧窑、成瓷C、摞泥、淘泥、印坯、拉坯、修坯、捺水、画坯、上釉、烧窑、成瓷D、摞泥、淘泥、捺水、拉坯、印坯、修坯、画坯、上釉、烧窑、成瓷
考题
单选题瓷粉堆筑的基本顺序是（ ）。A
体瓷—切瓷—遮色瓷—透明瓷—上釉B
切瓷—体瓷一透明瓷一遮色瓷—上釉C
遮色瓷—切瓷—透明瓷—体瓷—上釉D
遮色瓷—体瓷—切瓷一透明瓷—上釉E
透明瓷—遮色瓷—体瓷—切瓷—上釉
考题
单选题真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是（）。A
31～40℃B
21～30℃C
10℃以内D
11～20℃E
5℃
考题
单选题金属烤瓷桥制作的工艺流程正确的是（ ）A
上架-代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉B
代型的制作-上架-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉C
代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-上架-瓷层的堆塑-修形-上釉D
代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-上架-修形-上釉E
上架-代型的制作-瓷层的堆塑-金属基底冠蜡型的制作-修形-上釉
考题
单选题在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是（ ）。A
31～40℃B
21～30℃C
10℃以内D
11～20℃E
5℃
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