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E2PROM(FLASH存储器)通过()的特殊写方式对其进行编程和擦除。

A.紫外线光

B.电脉冲

C.光脉冲

D.激光

参考答案

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考题 闪速存储器的工作原理是利用电擦除和重新编程能力。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 在各种存储器中，闪速存储器是一种电可擦可编程的只读存储器，与E2PROM相比其特点是(8)。A．擦除和读出速度较快，可擦字节擦除B．擦除和读出速度较快，只能按数据块擦除C．擦除和读出速度较慢，只能按数据块擦除D．擦除和读出速度较慢，可按字节擦除
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考题 进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是(49)。A．NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B．NAND Flash的写人速度比NOR Flash快一些C．NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D．NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作
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考题 EPROM全称为()。 A.不可编程只读存储器B.电可擦除可编程只读存储器C.可编程不可擦除只读存储器D.可编程可擦除只读存储器
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考题 下列有关Flash存储器的描述，不正确的是（）A、Flash存储器属于非易失的存储器B、Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同C、Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同D、Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息
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考题 在下列存储器中，（）表示可读／写存储器。A、ROMB、RAMC、EPROMD、E2PROM
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考题 Flash芯片烧写方式可以分为（）方式和在线编程模式两种。
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考题 下列按块擦除的是（）存储器。A、EPROMB、EEPROMC、PROMD、FLASH
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考题 以下叙述中，不正确的是（）。A、半导体存储器包括RAM和ROMB、Flash存储器是非易失性的C、Cache是高速缓存D、EPROM使用电擦除方式
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考题 EEPROM的中文含义是（）。A、只读存储器B、存储器C、可擦除存储器D、电可擦除可编程存储器
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考题 只读存储器ROM中的EEPROM指的是哪种内存（）。A、只读存储器B、可编程只读存储器C、光擦除可编程只读存储器D、电擦除可编程只读存储器
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考题 EPROM全称为（）。A、不可编程只读存储器B、电可擦除可编程只读存储器C、可编程不可擦除只读存储器D、可编程可擦除只读存储器
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考题 E2PROM（FLASH存储器）通过（）的特殊写方式对其进行编程和擦除。A、紫外线光B、电脉冲C、光脉冲D、激光
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考题 FLASH的中文含义是（）。A、闪速存储器B、随机存储器C、只读存储器D、电可擦除可编程存储器
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考题 下列只读存储器中，仅能一次写入数据的是（）A、PROMB、EPROMC、Flash MemoryD、E2PROM
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考题 单选题E2PROM（FLASH存储器）通过（）的特殊写方式对其进行编程和擦除。A 紫外线光B 电脉冲C 光脉冲D 激光
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考题 单选题只读存储器ROM中的EEPROM指的是哪种内存（）。A 只读存储器B 可编程只读存储器C 光擦除可编程只读存储器D 电擦除可编程只读存储器
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考题 单选题EPROM全称为（）。A 不可编程只读存储器B 电可擦除可编程只读存储器C 可编程不可擦除只读存储器D 可编程可擦除只读存储器
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