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测量若干硅PNP型BJT各电极对地的电压值如下，工作在放大区的BJT是________

A．VC＝-6V，VB＝-6V，VE＝-5.6V

B．VC＝-6V，VB＝-4V，VE＝-3.6V

C．VC＝-3.6V，VB＝-4V，VE＝-3.4V

D．VC＝-6V，VB＝-2V，VE＝-1.3V

E．VC＝6V，VB＝2V，VE＝1.3V

参考答案和解析
V C ＝- 6V ， V B ＝- 2V ， V E ＝- 1.3V
更多 “测量若干硅PNP型BJT各电极对地的电压值如下，工作在放大区的BJT是________A．VC＝-6V，VB＝-6V，VE＝-5.6VB．VC＝-6V，VB＝-4V，VE＝-3.6VC．VC＝-3.6V，VB＝-4V，VE＝-3.4VD．VC＝-6V，VB＝-2V，VE＝-1.3VE．VC＝6V，VB＝2V，VE＝1.3V” 相关考题
考题 测得工作在放大状态的某三极管的三个极1、2、3对地电位分别如下:V1=0V,V2=－5V,V3=－0.3V,则可判断()。 A、该管为NPN管，材料为硅，1极为集电极B、该管为NPN管，材料为锗，2极为集电极C、该管为PNP管，材料为硅，1极为集电极D、该管为PNP管，材料为锗，2极为集电极
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考题 通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时,仍有较大的电流放大作用。()
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考题 测得某放大电路中的BJT的三个电极的对地电位,分别为 Va = -9V;Vb = -6V;Vc = -6.2V,则可以确定此管为PNP型。()
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考题 测得晶体管三个电极对地的电压分别为－2V、－8V、－ 2.2V,则该管为()。 A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.PNP型硅管D.NPN型硅管
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考题 在某放大电路中，测得三极管各电极对地的电压分别为6V/9.8V/10V，由此可判断该三极管为（　　）。 A． NPN硅管 B． NPN锗管 C． PNP硅管 D． PNP锗管
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考题 测得某放大电路中的BJT三个电极A、B、C对地电位分别为Va=-8V，Vb=-5V，Vc=-5.2V，试判断BJT的三个电极和管型。
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考题 BJT电路中，输出电压与输入电压同相且有放大能力的组态是（）
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考题 常用的BJT具有（）作用，此时应工作在（）状态。
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考题 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5、3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型
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考题 若想得到最大输出功率，BJT的参数条件：通过BJT的最大集电极电流为（），所选BJT的ICM一般不宜低于此值。
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考题 当NPN型BJT的VCE＞VBE且VBE＞0.5V时，则BJT工作在（）。A、截止区B、放大区C、饱和区D、击穿区
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考题 BJT使用的关键在于驱动电路的合理设计等，在由BJT构成的通用变频器中，影响系统的可靠性的因素有（）A、BJT的过热B、BJT的欠压C、BJT的过流D、BJT的干扰
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考题 如果在BJT模块上标有2DI200D-200，则说明该模块为二单元、集电极最大持续电流200A、（）型、开路阻断电压200V的BJT模块。A、安全型B、专用型C、宽安全工作区型D、通用型
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考题 测得某放大电路中的BJT三个电极A、B、C对地电位分别Va=8V，Vb=5V，Vc=5.7V，试判断BJT的三个电极和管型。
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考题 通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
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考题 双极型晶体管（BJT）放大偏置时，应在其发射结加（）电压，在集电结加（）电压。
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考题 BJT的β值是反映（）能力的参数。A、电压控制电压B、电流控制电流C、电压控制电流D、电流控制电压
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考题 测得放大电路中某BJT各极直流电位V1=12V，V2=11.3V，V3=0V，则该BJT的基极电位等于（），由（）材料制成，管型为（）。
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考题 根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB=-6.3v，VE=-7v，VC=-4v，可以判定此晶体管是（）管，处于（）。A、NPN管，饱和区B、PNP管，放大区C、PNP管，截止区D、NPN管，放大区
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考题 测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管不是（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
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考题 若三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（）。A、PNP型硅管B、PNP型锗管C、NPN型锗管D、NPN型硅管
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考题 对放大电路中的三极管测量，各级对地电压为UB=2.7V，UE=2V，UC=6V则该管是（）A、硅NPN管B、锗NPN管C、硅PNP管D、锗PNP管
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考题 填空题常用的BJT具有（）作用，此时应工作在（）状态。
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考题 问答题测量某硅BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域。      （a）VC＝6V     VB＝0.7V    VE＝0V      （b）VC＝6V     VB＝2V     VE＝1.3V      （c）VC＝6V    VB＝6V     VE＝5.4V      （d）VC＝6V    VB＝4V     VE＝3.6V      （e）VC＝3.6V    VB＝4V     VE＝3.4V
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考题 问答题为什么GaAs同质结双极型晶体管的性能很难达到或超过硅基BJT的性能？
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考题 问答题测得某放大电路中的BJT三个电极A、B、C对地电位分别为Va=-8V，Vb=-5V，Vc=-5.2V，试判断BJT的三个电极和管型。
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考题 单选题测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A 硅PNP型B 硅NPN型C 锗PNP型D 锗NPN型
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考题 填空题BJT电路中，输出电压与输入电压同相且有放大能力的组态是（）
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