考题
双极型三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。()
此题为判断题(对，错)。
考题
PNP型晶体管的电流是从集电极流向发射极。()
此题为判断题(对，错)。
考题
通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时,仍有较大的电流放大作用。()
考题
三极管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
考题
在晶体管内基片上有一个裂缝，可以导致集电极到发射极开路，在这里（）A、“集电极到发射极开路”是故障原因（机理）B、“集电极到发射极开路”是故障模式C、“晶体管内基片上有裂缝”是故障原因（机理）D、“晶体管内基片上有裂缝”是故障模式
考题
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。A、共发射极B、共集电极C、共基级电路D、共集极和共集电极电路
考题
晶体管的电流分配关系是：发射极电流等于集电极电流和（）。
考题
绝缘栅双极型晶体管（IGTR）是以（）作为基极，以（）作为发射极与集电极复合而成。
考题
MOS管的栅极与双极型三极管的相对应（）A、基极B、集电极C、发射极D、发射极或集电极
考题
为了使PNP型晶体三极管工作于饱和区，必须保证（）。A、发射极正偏，集电极正偏B、发射极正偏，集电极反偏C、发射极正偏，集电极零偏D、发射极反偏，集电极正偏
考题
MOS管的栅极可与双极型栅极的（）相对应。A、基极B、集电极C、发射极D、发射极或集电极
考题
晶体管的发射极和集电极是否可以调换使用，为什么？
考题
绝缘栅双极型晶体管是以（）作为栅极，以（）作为发射极与集电极复合而成。
考题
电力晶体管的外部电极也是：集电极、基极和发射极。
考题
晶体管共集电极放大电路的信号是从（）A、基极输入，集电极输出B、基极输入，发射极输出C、发射极输入，集电极输出D、集电极输入，发射极输出
考题
通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。
考题
已知某NPN型晶体管处于放大状态，测得其三个电极的电位分别为6V、9V和6.3V，则三个电极分别为（）。A、发射极、基极和集电极B、基极、发射极和集电极C、集电极、基极和发射极
考题
对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，同时在基极上也施加正电压，那么（）。A、集电极电流导通B、基极电流导通C、发射极电流导通D、电流都不导通
考题
IGBT是全控型晶体管的一种，它的三端器件是（）A、阳极、漏极、集电极B、栅极、集电极、发射极C、阴极、漏极、集电极D、阴极、栅极、集电极
考题
对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么发射极内的自由电子（）。A、朝基极侧移动B、朝集电极侧移动C、不动D、在发射极处无序运动
考题
对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么基极内的空穴（）。A、朝集电极侧移动B、朝发射极侧移动C、不动D、在基极处无序运动
考题
双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。要选矢量控制方式的高性能变频器。
考题
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管（）和发射极作为发射极与集电极复合而成。
考题
单选题为了使PNP型晶体三极管工作于饱和区，必须保证（）。A
发射极正偏，集电极正偏B
发射极正偏，集电极反偏C
发射极正偏，集电极零偏D
发射极反偏，集电极正偏
考题
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和（）作为发射极与集电极复合而成。
考题
填空题绝缘栅双极型晶体管是以（）作为栅极，以（）作为发射极与集电极复合而成。
考题
判断题双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。A
对B
错