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某些材料（如霍尔元件）的电阻值受到磁场的影响而改变的现象称为磁阻效应，利用磁阻效应制成的元件称为______.

参考答案和解析
磁敏电阻
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考题 霍尔元件是利用霍尔效应制成的半导体磁电转换器件。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 在霍尔材料的垂直方向上施加一稳定磁场B，相对两侧施加控制电流I，另外两端产生电势差，这种现象称为：A、压电效应B、压阻效应C、霍尔效应D、多普勒效应
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考题 霍尔效应的原因是（）A、电流在磁场中受到洛仑兹力B、霍尔元件在磁场中感生出电动势C、霍尔元件在磁场中受到哥氏力D、霍尔元件在磁场中受到重力
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考题 转速传感器中最常用的是（）。A、离心式B、霍尔元件式C、涡流式D、磁阻式
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考题 在光线作用下光电子逸出物体表面现象叫（）效应，利用该现象制成的元件有（）；在光线作用下使材料内部电阻率改变现象叫（）效应。
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考题 霍尔式曲轴位置传感器是利用触发叶片或齿轮改变通过霍尔元件的磁场强度，使霍尔元件产生脉冲的霍尔电压信号，经放大整形而输出信号的。（）
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考题 当我们站在站台上，火车从远处驶来，鸣笛声会越来越尖锐；火车渐渐远离，鸣笛声变得越来越低沉，这种现象称为（）A、伯努利效B、多普勒效应C、霍尔效应D、磁阻效应
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考题 霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件，常用（）及锑化铟等半导体材料制成。A、锗B、硅C、砷化镓D、砷化铟
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考题 铁磁材料对（）的阻力称为磁阻A、磁体B、磁场C、磁通D、磁阻
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考题 置于磁场中的导体或半导体薄片，当有电流通过时，在垂直于电流方向和磁场方向上将产生电动势，称之为（）A、压电效应B、磁阻效应C、霍尔效应D、光电效应
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考题 以下属于磁敏元件的是（）A、霍尔元件B、磁阻元件C、石英D、巨磁阻
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考题 霍尔效应的本质是什么？霍尔元件可以测哪些物理量？设计一个利用霍尔元件测量转速的装置，并说明原理。
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考题 下面关于磁阻效应描述正确的是（）A、磁阻效应是垂直于电流方向的横向电压B、磁阻效应与材料性质无关C、元件长宽比愈小，磁阻效应愈大D、磁阻效应与几何形状无关
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考题 磁阻传感器是基于（）原理工作的。A、磁阻效应B、霍尔效应C、压阻效应D、电磁效应
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考题 一些铁磁材料受到外力作用后，其内部产生应力，因此引起铁磁材料磁导率变化的物理现象称为（）。 A、压阻效应B、压电效应C、磁阻效应D、压磁效应
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考题 磁敏二极管是继霍尔传感器元件后发展起来的一种新型半导体磁敏元件，它是利用（）进行磁电转换的。A、磁阻效应B、霍尔效应C、压磁效应D、磁电效应
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考题 什么叫霍尔效应、霍尔电势和霍尔元件？霍尔元件采用何种材料？由什么组成？霍尔元件能够测量哪些物理参数？霍尔元件的不等位电势的概念是什么？温度补偿的方法有哪几种？
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考题 基于霍尔效应工作的半导体器件称为霍尔元件。
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考题 把一导体（或半导体）两端通以控制电流I，在垂直方向施加磁场B，在另外两侧会产生一个与控制（）和磁场成比例的电动势，这种现象称（），这个电动势称为（）。外加磁场使半导体（导体）的电阻值随磁场变化的现象成磁阻效应。
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考题 磁阻式有源轮速传感器组成包括（）。A、磁阻和电子元件B、电子元件C、永磁体D、磁阻元件
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考题 单选题当磁阻元件中的电流方向与磁力线方向平行时，磁阻元件的电阻值（）。A 最大B 中间值C 最小D 以上都不对
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考题 单选题某些晶体受到外力作用而发生机械变形时，在晶体的不同表面会产生符号相反的电荷，这种现象称被称为（）。A 压阻效应B 压电效应C 霍尔效应D 磁阻效应
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考题 单选题半导体压敏电阻式进气压力传感器的压力转换元件是利用半导体的（）制成的硅膜片。A 压阻效应B 光电效应C 压电效应D 磁阻效应
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考题 判断题霍尔效应式开关是利用霍尔元件的霍尔效应制成的。A 对B 错
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考题 单选题下列关于霍尔效应描述中，正确的是（）。A 霍尔系数的大小反映了霍尔效应的强弱，由材料的物理性质决定B 霍尔系数越大，霍尔电势越小C 霍尔元件的厚度越大，霍尔电势越大D 磁场的磁感应强度越大，霍尔电势越小
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考题 填空题在光线作用下光电子逸出物体表面现象叫（）效应，利用该现象制成的元件有（）；在光线作用下使材料内部电阻率改变现象叫（）效应。
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考题 单选题当我们站在站台上，火车从远处驶来，鸣笛声会越来越尖锐；火车渐渐远离，鸣笛声变得越来越低沉，这种现象称为（）A 伯努利效B 多普勒效应C 霍尔效应D 磁阻效应
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考题 填空题把一导体（或半导体）两端通以控制电流I，在垂直方向施加磁场B，在另外两侧会产生一个与控制（）和磁场成比例的电动势，这种现象称（），这个电动势称为（）。外加磁场使半导体（导体）的电阻值随磁场变化的现象成磁阻效应。
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