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关于再次应答叙述错误的是
A.潜伏期比初次应答短
B.下降期比初次应答短
C.维持高抗体浓度的时间比初次应答长
D.IgG浓度超过IgM
参考答案和解析
A
更多 “关于再次应答叙述错误的是A.潜伏期比初次应答短B.下降期比初次应答短C.维持高抗体浓度的时间比初次应答长D.IgG浓度超过IgM” 相关考题
考题
有关体液免疫的初次应答与再次应答的不同点的陈述,错误的是A、初次应答产生的抗体主要是IgM,再次应答的是IgGB、再次应答抗体亲和力高C、再次应答产生IgG的潜伏期长D、初次应答的抗原提呈细胞是巨噬细胞E、再次应答的抗原提呈细胞是记忆B淋巴细胞
考题
在抗体形成过程中,下列哪项叙述是错误的( )。A、Th细胞和B细胞的相互作用受MHC制约B、浆细胞是产生抗体的细胞C、B细胞对TD抗原的应答需巨噬细胞和 Th细胞参加D、B-1细胞活化没有双信号刺激E、再次应答时抗体产生快、效价高
考题
关于免疫记忆的叙述,下列哪一项是错误的A.体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B.Bm是再次应答的主要APCC.免疫应答过程中可产生Tm和BmD.TI-A9和TD-A9均可引起回忆应答E.记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的
考题
关于免疫应答的叙述,错误的是A.需经抗原诱导产生B.分为体液和细胞免疫应答两种类型S
关于免疫应答的叙述,错误的是A.需经抗原诱导产生B.分为体液和细胞免疫应答两种类型C.有多种细胞及分子参与D.在外周免疫器官中发生E.其结局总是对机体是有益的
考题
有关体液免疫的初次应答与再次应答的不同点的陈述,错误的是A.初次应答产生的抗体主要是IgM,再次应答的是IgG
B.再次应答抗体亲和力高
C.再次应答产生IgG的潜伏期长
D.初次应答的抗原提呈细胞是巨噬细胞
E.再次应答的抗原提呈细胞是记忆B淋巴细胞
考题
关于免疫记忆的叙述,下列哪项是错误的()A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、在免疫应答的分化阶段,小部分细胞分化为记忆细胞,大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生
考题
关于免疫记忆的叙述,下列哪一项是错误的()A、体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B、Bm是再次应答的主要APCC、免疫应答过程中可产生Tm和BmD、TI-Ag和TD-Ag均可引起回忆应答E、记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的
考题
体液免疫的初次应答与再次应答的不同点是()A、初次应答产生的抗体主要是IgM,再次应答的是IgGB、再次应答抗体亲和力高C、再次应答产生IgG的潜伏期短D、初次应答的抗原呈递细胞是巨噬细胞E、再次应答的抗原呈递细胞是记忆B淋巴细胞
考题
单选题关于固有免疫应答和适应性免疫应答叙述错误的是()A
固有免疫应答起作用早B
适应性免疫应答维持时间长C
适应性免疫应答有记忆性D
固有免疫应答启动适应性免疫应答E
两者是截然分开的
考题
单选题关于免疫记忆的叙述,下列哪项是错误的()A
免疫应答过程中可产生Bm、TmB
在免疫应答的分化阶段,小部分细胞分化为记忆细胞,大部分分化为效应细胞C
记忆细胞表达CD45RAD
记忆细胞表面分子表达有改变E
再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生
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