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3、传统方法烧结氧化铝陶瓷的烧结温度通常需要达到___________摄氏度。
A.1500
B.1600
C.1700
D.1800
参考答案和解析
1700
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考题
金属基底冠除气的方法是A.低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB.低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC.高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD.高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE.高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
考题
单选题金属基底冠除气的方法是()。A
低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB
低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC
高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD
高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE
高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
考题
单选题高密度氮化硅陶瓷选用哪种烧结方式最好()。A
常压烧结B
热压烧结C
反应烧结D
气氛烧结
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