考题
在沉淀形成过程中,待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成()
A、吸留B、混晶C、包藏D、后沉淀
考题
用洗涤方法可除去的沉淀杂质是()
A、混晶及沉淀杂质B、包藏及沉淀杂质C、吸附及沉淀杂质D、后沉淀杂质
考题
沉淀完成后进行陈化是为了()。
A、使无定形沉淀转变为晶形沉淀B、使沉淀更为纯净，同时使颗粒变大C、除去混晶共沉淀带入的杂质D、加速后沉淀作用
考题
由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。此题为判断题(对，错)。
考题
洗涤沉淀是为了洗去表面吸附的杂质和混杂在沉淀中的母液。此题为判断题(对，错)。
考题
如果被吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，就可能形成（）。A、表面吸附B、机械吸留C、包藏D、混晶
考题
陈化过程可以除去由吸咐和吸留引入的杂质离子，但不能除去由混晶共沉淀带入的杂质离子。（）
考题
下列有关沉淀纯净陈述不正确的是（）A、洗涤可减少吸留的杂质B、洗涤可减少吸附的杂质C、陈化可减少吸留的杂质D、沉淀完成后立即过滤可防止后沉淀
考题
洗涤沉淀是为了洗去表面吸附的杂质及混杂在沉淀中的母液。
考题
在沉淀法的基本操作中，过滤的目的是（），洗涤的目的是洗去沉淀吸附的杂质和混杂在沉淀中的母液、烘干或灼烧的目的是除去洗涤后沉淀中的水分和洗涤液中的挥发性物质，并使沉淀（）。
考题
形成共沉淀现象的原因有（）。A、表面吸咐B、生成混晶C、吸留D、陈化E、包藏
考题
下列有关洗涤沉淀的叙述，错误的是（）。A、洗涤目的是洗去沉淀表面吸附的杂质B、洗涤目的是洗去沉淀的吸留或混晶的杂质C、洗涤的次数愈多，洗涤效果愈好，但沉淀损失也愈多D、洗涤溶液用量愈多，洗涤效果愈好。
考题
由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。
考题
共沉淀现象是由于沉淀的（）作用，混晶或固溶体的形成，吸留和包藏等原因引起的。
考题
晶形沉淀陈化的目的（）。A、沉淀完全B、去除混晶C、小颗粒长大，使沉淀更纯净D、形成更细小的晶体
考题
.过滤的目的是将沉淀从母液中分离出来，以便于适量的沉淀剂共存组分或其它杂质分开，获得纯净的沉淀。
考题
下列有关沉淀纯净叙述错误的是（）。A、洗涤可减免吸留的杂质B、洗涤可减少吸附的杂质C、易生成混晶的杂质应事先分离除去D、沉淀完成后立即过滤可防止后沉淀
考题
如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）A、后沉淀B、机械吸留C、包藏D、混晶
考题
洗涤沉淀的目的是为了洗去（）。A、沉淀剂B、沉淀表面吸附的杂质C、沉淀表面吸附的杂质和混杂在沉淀中的母液D、混杂在沉淀中的母液
考题
如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀
考题
在重量分析中，待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A、混晶B、吸留C、包藏D、后沉淀
考题
沉淀洗涤的目的是洗去由于吸留或混晶影响沉淀纯净的杂质。
考题
在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常用待测离子一道与够晶离子形成（）A、吸留B、混晶C、包夹D、继沉淀
考题
在晶型沉淀的沉淀过程中，若加入沉淀剂过快，除了造成沉淀剂局部过浓影响晶型外，还会发生吸留现象。
考题
单选题在重量分析中，待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A
混晶B
吸留C
包藏D
后沉淀
考题
单选题如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）A
后沉淀B
机械吸留C
包藏D
混晶
考题
单选题洗涤沉淀的目的是为了洗去（）。A
沉淀剂B
沉淀表面吸附的杂质C
沉淀表面吸附的杂质和混杂在沉淀中的母液D
混杂在沉淀中的母液
考题
单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A
表面吸附B
混晶C
机械吸留D
后沉淀