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共沉淀现象是由于沉淀的()作用,混晶或固溶体的形成,吸留和包藏等原因引起的。


参考答案

更多 “共沉淀现象是由于沉淀的()作用,混晶或固溶体的形成,吸留和包藏等原因引起的。” 相关考题
考题 在沉淀形成过程中,待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成() A、吸留B、混晶C、包藏D、后沉淀

考题 杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为()。A.混晶B.吸留C.混杂D.吸附

考题 共沉淀是指待分离的组分在可溶条件下,由于表明吸附、吸留、共结晶或形成晶核等作用,为共沉淀剂带下来的一种沉淀分离技术,请指出哪一种不是常用的无机共沉淀剂?()。A、氢氧化钙B、氢氧化铁C、铵盐D、硫化物E、铜试剂

考题 如果被吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格,就可能形成()。A、表面吸附B、机械吸留C、包藏D、混晶

考题 杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为()。A、混晶B、吸留C、混杂D、吸附

考题 陈化过程可以除去由吸咐和吸留引入的杂质离子,但不能除去由混晶共沉淀带入的杂质离子。()

考题 共沉淀现象可能是由()等原因产生的。A、表面吸附B、生成混晶C、放置时间长D、吸留E、包藏

考题 共沉淀是指待分离的组分在可溶条件下,由于表明吸附、吸留、共结晶或形成晶核等作用,为共沉淀剂带下来的一种沉淀分离技术。常用的无机共沉锭剂是()A、8-羟基喹啉B、铜试剂C、双硫腙D、甲基紫E、氢氧化钠

考题 形成共沉淀现象的原因有()。A、表面吸咐B、生成混晶C、吸留D、陈化E、包藏

考题 用洗涤的方法能有效地提高沉淀纯度的是()。A、混晶共沉淀B、吸附共沉淀C、包藏共沉淀D、后沉淀

考题 沉淀被沾污的原因有()A、表面吸附B、混晶C、包藏D、后沉淀

考题 如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格,这就形成()A、后沉淀B、机械吸留C、包藏D、混晶

考题 简述吸留共沉淀与表面吸附共沉淀的主要区别。

考题 形成混晶共沉淀的主要条件是什么?常用来进行定性鉴定的混晶体系是什么?

考题 如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近,电荷相同,则易形成()A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀

考题 在重量分析中,待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成()A、混晶B、吸留C、包藏D、后沉淀

考题 共沉淀分离根据共沉淀剂性质可分为混晶共沉淀分离和胶体凝聚共沉淀分离。

考题 沉淀洗涤的目的是洗去由于吸留或混晶影响沉淀纯净的杂质。

考题 在沉淀形成过程中,与待测离子半径相近的杂质离子常用待测离子一道与够晶离子形成()A、吸留B、混晶C、包夹D、继沉淀

考题 单选题共沉淀是指待分离的组分在可溶条件下,由于表明吸附、吸留、共结晶或形成晶核等作用,为共沉淀剂带下来的一种沉淀分离技术。常用的无机共沉锭剂是()A 8-羟基喹啉B 铜试剂C 双硫腙D 甲基紫E 氢氧化钠

考题 名词解释题混晶共沉淀

考题 单选题在重量分析中,待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成()A 混晶B 吸留C 包藏D 后沉淀

考题 单选题共沉淀是指待分离的组分在可溶条件下,由于表明吸附、吸留、共结晶或形成晶核等作用,为共沉淀剂带下来的一种沉淀分离技术。不是常用的有机共沉淀剂是()。A 8-羟基喹啉B 铜试剂C 二硫腙D 甲基紫E 氢氧化钠

考题 单选题共沉淀是指待分离的组分在可溶条件下,由于表明吸附、吸留、共结晶或形成晶核等作用,为共沉淀剂带下来的一种沉淀分离技术。常用的有机共沉淀剂是()A 8-羟基喹啉B 铜试剂C 双硫腙D 甲基紫E 氢氧化钠

考题 单选题如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格,这就形成()A 后沉淀B 机械吸留C 包藏D 混晶

考题 单选题共沉淀是指待分离的组分在可溶条件下,由于表明吸附、吸留、共结晶或形成晶核等作用,为共沉淀剂带下来的一种沉淀分离技术,请指出哪一种不是常用的无机共沉淀剂?()。A 氢氧化钙B 氢氧化铁C 铵盐D 硫化物E 铜试剂

考题 单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近,电荷相同,则易形成()A 表面吸附B 混晶C 机械吸留D 后沉淀