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气敏电阻为半导体材料,通常有P型和N型之分。


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考题 关于半导体测温元件说法正确的是______。A.半导体热敏电阻随温度的升高电阻值上升B.P型和N型半导体材料不能集成在一个热电偶中C.不能制作成接触型D.半导体热敏电阻比金属热敏电阻灵敏度高

考题 半导体分为P型、N型和H型。

考题 在纯净半导体材料中掺人微量五价元素磷,可形成()A、N型半导体B、P型半导体C、PN结D、导体

考题 怎样区分N型半导体和P型半导体()A、N型半导体掺入5价元素,P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素,P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同,但接头不同D、N型半导体的空穴过剩,P型半导体的空穴不

考题 关于P型.N型半导体内参与电的粒子,下列说法正确的是()A、无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴B、P型半导体中只有空穴导电C、N型半导体中只有自由电子参与导电D、在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电

考题 气敏半导瓷材料氧化锡是()型半导体。

考题 N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电 子,是否N型半导体带负电,而P型半导体带正电?

考题 1N4007中的“1”表示含义为()的数量。A、PN结B、P型半导体C、N型半导体D、管子封装材料

考题 N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

考题 氧化型气体吸附到N型半导体上,将使载流子数目(),从而使材料的电阻率().

考题 P型半导体的多子为()、N型半导体的多子为()、本征半导体的载流子为()。

考题 在本征半导体中加入少量的五价元素后,可形成()A、P型半导体,其少子为自由电子B、N型半导体,其多子为自由电子C、P型半导体,其少子为空穴D、N型半导体,其多子为空穴

考题 对半导体而言,其正确的说法是()A、P型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子

考题 霍尔传感器通常选择()材料制作。A、N型半导体B、P型半导体C、金属导体D、导体和半导体

考题 为了增大霍尔元件的灵敏度,霍尔元件多选用()制作。A、金属材料B、绝缘材料C、N型半导体D、P型半导体

考题 当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时,将导致半导体材料()。A、载流子数增加,电阻减小B、载流子数减少,电阻减小C、载流子数增加,电阻增大D、载流子数减少,电阻增大

考题 N型半导体或P型半导体都属于()。

考题 由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。

考题 半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,下列关于气敏传感器工作机理的描述,不正确的是()。A、氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加B、氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子增多,电阻值减少C、还原性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加D、还原性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加

考题 半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,当氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值();当氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子(),电阻值减少。

考题 什么是N型半导体?P型半导体?

考题 当()后,就形成了PN结.A、N型半导体内均匀掺入少量磷B、P型半导体内均匀掺入少量硼C、P型半导体和N型半导体紧密结合D、P型半导体靠近N型半导体

考题 N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

考题 填空题气敏半导瓷材料氧化锡是()型半导体。

考题 填空题P型半导体和N型半导体均可制作光敏电阻,但是通常使用N型半导体材料,这是由于电子的()比空穴大。

考题 填空题半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,当氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值();当氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子(),电阻值减少。

考题 单选题N型半导体材料的迁移率比P型半导体材料的迁移率()A 相等B 小C 大

考题 单选题关于半导体测温元件说法正确的是()。A 半导体热敏电阻随温度的升高电阻值上升B P型和N型半导体材料不能集成在一个热电偶中C 不能制作成接触型D 半导体热敏电阻比金属热敏电阻灵敏度高