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1. MOS电容器为什么要工作在非稳态才能实现电荷存储？

参考答案和解析
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考题 MOS型存储器按其工作状态又可以分成______和______。
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考题 DRAM是靠MOS电路中的栅极电容上的电荷来记忆信息的。为了防止数据丢失，需定时给电容上的电荷进行补充，这是通过以一定的时间间隔将DRAM各存储单元中的数据读出并再写入实现的，该过程称为DRAM的______。
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考题 电容器在单位电压作用下所能储存的电荷量叫做该电容器的（）。A、电容器B、电压C、电流D、电荷
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考题 SRAM是利用（）来存储0和1的。A、内部熔丝是否断开B、双稳触发器的两个稳态C、极间电荷是否积累足够的电荷D、浮置栅是否有足够的电荷
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考题 SRAM和DRAM存储原理不同，它们分别靠（）来存储0和1的。 A、双稳态触发器的两个稳态和极间是否有足够的电荷B、内部熔丝是否断开和双稳态触发器C、极间电荷和浮置栅是否积累足够的电荷D、极间是否有足够的电荷和双稳态触发器的两个稳态
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考题 当今，科学家所设计的分子水平的存储器主要是通过（）或（）分子来实现的A、双稳态B、单稳态C、多稳态D、电荷转移
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考题 电容器是存储电荷的装置。任何两个导体中间隔以绝缘物质，就形成一个电容器。（）
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考题 用来储存电荷的元器件称为（）。A、存储器B、电容器C、电阻器
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考题 静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同？为什么动态MOS存储器需要刷新？一般有哪几种刷新方式？
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考题 静态RAM的基本存储电路，是由6个MOS管组成的（）来存储信息的；动态RAM芯片是以MOS管栅极（）是否充有电荷来存储信息的。
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考题 动态RAM的基本存储电路是（）。A、双稳态触发器B、电容器C、MOS管D、晶体管
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考题 静态MOS存储元、动态MOS存储元各有什么特点？
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考题 在半导体制造中，熔断丝可以应用在（）。A、MOS栅极B、保护性元件C、电容器极板D、制造只读存储器PROME、晶圆背面电镀
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考题 静态RAM存储信息依靠的是（）。A、单稳态触发器B、磁场C、双稳态触发器D、电容器
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考题 内核中程序要通过紫外线才能擦除的程序存储器为（）。A、RAMB、FLASHC、动态MOS型RAMD、EPROM
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考题 对于8086存储器中的非规则字，为什么要两个总线周期才能读完？
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考题 下面有关电容的描述正确的是（）。A、能够存储电荷B、其容量的大小取决于加在电容器两端电压的大小C、存储电荷的数目是一定的D、加在电容器两端电压没有一定的限制
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考题 在电容器串联回路中，各电容器所带的电荷量均（），并等于等效电容所带的电荷量。
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考题 单选题下面有关电容的描述正确的是（）。A 能够存储电荷B 其容量的大小取决于加在电容器两端电压的大小C 存储电荷的数目是一定的D 加在电容器两端电压没有一定的限制
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考题 多选题当今，科学家所设计的分子水平的存储器主要是通过（）或（）分子来实现的A双稳态B单稳态C多稳态D电荷转移
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考题 填空题目前使用的（）可多次写入的存储单元是在MOS管中置入（）的方法实现的。
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考题 单选题SRAM和DRAM存储原理不同，它们分别靠（）来存储0和1的。A 双稳态触发器的两个稳态和极间是否有足够的电荷B 内部熔丝是否断开和双稳态触发器C 极间电荷和浮置栅是否积累足够的电荷D 极间是否有足够的电荷和双稳态触发器的两个稳态
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考题 多选题电荷耦合器件的几个工作过程分为（）A电荷包的产生B电荷包耦合C电荷包存储D电荷包检测EMOS电容器
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考题 问答题静态MOS存储元、动态MOS存储元各有什么特点？
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考题 问答题静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同？为什么动态MOS存储器需要刷新？一般有哪几种刷新方式？
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考题 问答题简述SSPD的工作过程。为什么要以电荷存储方式工作？
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考题 单选题用来储存电荷的元器件称为（）。A 存储器B 电容器C 电阻器
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考题 单选题内核中程序要通过紫外线才能擦除的程序存储器为（）。A RAMB FLASHC 动态MOS型RAMD EPROM
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