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在半导体制造中，熔断丝可以应用在（）。
- A、MOS栅极
- B、保护性元件
- C、电容器极板
- D、制造只读存储器PROM
- E、晶圆背面电镀
参考答案
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考题
为了防止电容器爆炸事故的发生，要求每台熔断器熔丝规格必须匹配，熔断器熔丝断后要认真查找原因（）。A电容器组不得使用重合闸跳闸后可以强送电B电容器组不得使用重合闸跳闸后不得强送电C电容器组可以使用重合闸跳闸后可以强送电D电容器组不得使用重合闸跳闸后可以强送电，以免照成重大事故
考题
跌落式熔断器及熔丝的额定电流选择原则是（）。A、跌落式熔断器的额定电流必须大于或等于熔丝元件的额定电流；B、配电变压器一次侧熔丝元件选择。当配电变压器容量在100kVA及以下时，按变压器额定电流的2～3倍选择元件；当变压器容量在100kVA以上时，按变压器额定电流的1.5～2倍选择元件；C、柱上电力电容器。容量在30kvar以下的柱上电力电容器一般采用跌落式熔断器保护。熔丝元件一般按电力电容器额定电流的1.5～2.5倍选择；D、10kV用户进口。用户进口的熔丝元件一般不应小于用户最大负荷电流的1.5倍，用户配电变压器（或其他高压设备）一次侧熔断器的熔丝元件应比进口跌落式熔断器熔丝元件小一级考虑。
考题
集成电路的主要制造流程是（）A、硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试B、硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路C、晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路D、硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
考题
根据一次接线方式的不同，电容器通常采用内部熔丝或外部熔断器来保护。电容器在运行过程中应注意其操作顺序、运行参数等。低压电容器内部元件一般采用（）保护。A、熔断器B、熔丝C、电压纵差D、中性点不平衡电流
考题
单选题集成电路的主要制造流程是（）A
硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试B
硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路C
晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路D
硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
考题
单选题关于电容器，下列说法正确的是（）A
电容器两极板上所带的电荷量相等，种类相同。B
电容器两极板上所带的电荷量相等，种类相反。C
电容器既是储能元件又是耗能元件。D
电容器的电容量是无限大的。
考题
问答题简述晶圆的制造步骤
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