考题
对于单结晶体管,当发射极电压()谷点电压时,单结晶体管恢复截止。
A、小于B、等于C、大于D、远大于
考题
当外加交变电压的频率()石英晶体的固有振荡频率时,晶体将产生共振。
A、大于B、等于C、小于D、不等于
考题
盒子中装有10个晶体管，其中7个是一级品.从盒子中任意取2次，每次1个.在下列两种情形下，分别求取出的晶体管中恰有1个是一级品的概率.(1)先取出的晶体管不放回盒子；第二次取到一级品的概率等于( ).A.6/9
B.7/9
C.7/10
D.6/10
考题
晶体管放大电路中，射极跟随器的电压放大倍数（）。A远小于1；B约等于1；C远大于1；D随管子的放大倍数而定，一般为20～30倍。
考题
由于串联晶振电路中振荡频率（）晶体串联谐振频率，因此它不需要外加负载电容A、大于B、等于C、小于D、大于或等于
考题
晶体与非晶体相比，有如下特征：（1）（）；（2）（）；（3）（）。
考题
某晶体二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）。A、约等于150VB、略大于150VC、等于75VD、等于100V
考题
晶体管的电流分配关系是：发射极电流等于集电极电流和（）。
考题
绝缘栅双极晶体管的开关速度（）电力晶体管。A、低于B、等于C、稍高于D、明显高于
考题
反向器的饱和工作条件是输入信号向晶体管提供的基极电流必须（）临界饱和基极电流。A、大于B、小于C、等于D、不等于
考题
钢铁件在发蓝溶液中要获得致密的氧化膜，只有在（）条件下才能形成。A、晶胞形成速度大于单个晶体长大速度B、晶胞形成速度等于单个晶体长大速度C、晶胞形成速度小于单个晶体长大速度
考题
晶体三极管组成的共基极放大电路，电流放大倍数约等于1，电压放大倍数等于共射极电路，但输出电压相位和输入电压相位（）。
考题
晶体管能够放大的内部条件是（）A、大于B、小于C、等于D、不变E、变宽F、变窄
考题
晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。
考题
微小晶体的溶解度（）普遍晶体的溶解度。A、低于B、高于C、接近D、等于
考题
在（）情况下得到粗大而有规则的晶体。A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对
考题
在什么情况下得到粗大而有规则的晶体（）A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对
考题
往1升0.01MHAc溶液中，加入一些NaAc晶体，会使溶液的pH值（）。A、减小B、增大C、不变D、等于2
考题
多发伤合并休克的补液原则是（）A、先晶体后胶体B、先胶体后晶体C、晶体与胶体的比例是1：1D、晶体与胶体的比例是1：2E、补液速度应快
考题
热力学第三定律可以表示为：（）A、在0K时，任何晶体的熵等于零B、在0K时，任何完整晶体的熵等于零C、在0℃时，任何晶体的熵等于零D、在0℃时，任何完整晶体的熵等于零
考题
晶体管放大器的输入电阻即为输出电阻，且等于晶体管的内阻。
考题
晶体管放大电路中，射极跟随器的电压放大倍数为（）A、远小于1B、约等于1C、远大于1D、随管子的放大倍数而定，一般为20～30倍
考题
单选题在（）情况下得到粗大而有规则的晶体。A
晶体生长速度大大超过晶核生成速度B
晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C
晶体生长速度等于晶核生成速度D
以上都不对
考题
单选题微小晶体的溶解度（）普遍晶体的溶解度。A
低于B
高于C
接近D
等于
考题
填空题晶体三极管组成的共基极放大电路，电流放大倍数约等于1，电压放大倍数等于共射极电路，但输出电压相位和输入电压相位（）。
考题
单选题在什么情况下得到粗大而有规则的晶体（）A
晶体生长速度大大超过晶核生成速度B
晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C
晶体生长速度等于晶核生成速度D
以上都不对
考题
填空题两晶体薄片在正交显微镜下（），若晶体薄片的光率体椭圆半径与补色器的光率体半径同名轴平行，则总光程差等于两晶体薄片光程之和，干涉色（）。如果是异名轴平行则总光程差等于两晶体薄片光程差之差，干涉色下降。若两薄片总光程差为0，镜下视域消色