考题
场效应管是( ) 器件。
A.电流控制电流B电流控制电压C电压控制电压D电压控制电流
考题
()是电压控制型电力电子器件。A.P-MOSFET、GTOB.TRIAC、GTRC.P-MOSFET、IGBTD.IGBT、SITH
考题
场效应管本质上是一个( )。A.电流控制电流源器件B.电流控制电压源器件C.电压控制电流源器件D.电压控制电压源器件
考题
半导体三极管是一种()。
A.电压控制电压的器件B.电压控制电流的器件C.电流控制电流的器件D.电流控制电压的器件
考题
下列全控器件中,属于电流控制型的器件是( )。
A.SITB.GTRC.IGBTD.P-MOSFET
考题
半导体三极管是一种（）。A、电压控制电压的器件B、电压控制电流的器件C、电流控制电流的器件D、电流控制电压的器件
考题
场效晶体管也是一种具有放大能力的晶体管，但它的控制方式与晶体管不同，晶体管是利用输入电流去控制输出电流，是电流控制器件，而场效晶体管是利用输入电压来控制输出电流，是电压控制器件
考题
晶体三极管是（）器件。A、电流控制电压B、电流控制电脑C、电压控制电压D、电流控制电流
考题
电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。
考题
电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
考题
MOSFET晶体管属于（）器件。A、电流型控制B、电压型控制C、功率型控制D、P0004
考题
功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，功率增益高，是一种（）控制器件。A、电压B、电流C、功率
考题
半导体三极管是一种（）。A、电压控制电压的器件B、电压控制电流的器件C、电流控制电流的器件
考题
场效应管本质上是一个（）A、电流控制电流源器件B、电压控制电流源器件C、电流控制电压源器件D、电压控制电压源器件
考题
晶体管是（）器件。A、电流控制电流B、电流控制电压C、电压控制电压
考题
场效应管是（）器件。A、电压控制电压B、电流控制电压C、电压控制电流D、电流控制电流
考题
场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的，因此，称它为（）控制电流的器件。
考题
JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
考题
电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
考题
电力电子器件P-MOSFET为（）器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型
考题
电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
考题
电力场效应管（MOSFET）是利用改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件，属于（）。
考题
晶体三极管和场效应管分别是（）。A、电压控制器件，电流控制器件B、电流控制器件，电压控制器件C、均为电压控制器件
考题
单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（）控制器件。A
电压B
电流C
电阻D
功率
考题
多选题电力电子器件P-MOSFET为（）器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型
考题
填空题电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
考题
单选题场效应管本质上是一个（）A
电流控制电流源器件B
电流控制电压源器件C
电压控制电流源器件D
电压控制电压源器件
考题
单选题场效应管是（）器件。A
电流控制电压B
电压控制电压C
电压控制电流D
电流控制电流