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当高能离子进入到硅片后,由于碰撞作用,使晶格原子离开原来的位置,出现晶格损伤。
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考题
单选题离子注入过程是一个非平衡过程,高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞,逐步损失能量,最后停下来。停下来的位置是随机的,大部分不在晶格上,因而没有()。A
电活性B
晶格损伤C
横向效应D
沟道效应
考题
单选题在晶体缺陷理论中外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质,这种杂质原子如果取代原来晶体中的原子而进入正常结点的位置称为()A
取代原子B
空位原子C
杂质原子D
填隙原子
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