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判断题
离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格,高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除,掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
A

B


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考题 金属的原子按一定方式有规则地排列成一定空间几何形状的结晶格子,称为晶格。A对B错

考题 高碳马氏体的()%碳原子偏聚在立方晶格的一轴,而()%碳原子集中在另二轴上,其结果形成的马氏体为()晶格。

考题 外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质原子,杂质原子既可以进入间隙位,也可以取代原有原子进入正常结点位置。

考题 热退火用于消除离子注入造成的损伤,温度要低于杂质热扩散的温度,然而,杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象,解释其原因。

考题 在晶格内仍能表示晶格特征的最基本*部分称为单位晶格或称()所以()在空间做有规律的重复排列就是晶格

考题 常见的晶格点缺陷是“晶格空位”和间隙原子。

考题 由于α-Fe是体心立方晶格,晶格原子之间的间隙较小,所以碳的溶解度也较小。

考题 晶界处的晶格不规则,原子排列不整齐,并常有其他杂质原子聚集,故晶界处的强度较高,塑性较低。

考题 金属的原子按一定方式有规则地排列成一定空间几何形状的结晶格子,称为晶格。

考题 对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用()方法引入到硅片中。A、离子注入B、溅射C、淀积D、扩散

考题 ()就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面,使其中离子注入层在极短的时间内达到高温,消除损伤。A、热退火B、激光退火C、连续激光退火D、脉冲激光退火

考题 光电池的工作原理是基于光生伏特效应的,硅光电池是在N型硅片中掺入P型杂质形成一个大面积的PN结。

考题 ()是指在确定的某种晶格中,某离子或原子部分被性质相似的它种离子或原子所替代占有。

考题 钻石具有典型的(),故有很高的透明度。A、金属晶格B、离子晶格C、原子晶格D、分子晶格

考题 晶格结构中的点缺陷主要是间隙原子、空位原子和()

考题 三种常见金属晶体结构中,原子排列最疏松的是()。A、体心立方晶格B、面心立方晶格C、密排六方晶格

考题 填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是()扩散和()扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。

考题 单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。A  激活杂质后B  一种物质在另一种物质中的运动C  预淀积D  高温多步退火

考题 单选题离子注入过程是一个非平衡过程,高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞,逐步损失能量,最后停下来。停下来的位置是随机的,大部分不在晶格上,因而没有()。A  电活性B  晶格损伤C  横向效应D  沟道效应

考题 单选题三种常见金属晶体结构中,原子排列最疏松的是()。A 体心立方晶格B 面心立方晶格C 密排六方晶格

考题 问答题为什么晶体晶格离子注入工艺后需要高温退火?使用RTA退火有什么优点?

考题 填空题杂质原子在其它晶格中扩散时的推动力为(),同种原子在自己晶格中自扩散的推动力为()。

考题 填空题固溶体中,能保留住晶格结构含量较多的元素称为(),而晶格结构消失的元素称为()。

考题 判断题金属的原子按一定方式有规则地排列成一定空间几何形状的结晶格子,称为晶格。A 对B 错

考题 名词解释题离子注入的晶格损伤

考题 单选题在晶体缺陷理论中外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质,这种杂质原子如果取代原来晶体中的原子而进入正常结点的位置称为()A 取代原子B 空位原子C 杂质原子D 填隙原子

考题 判断题在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即热扩散和离子注入。A 对B 错