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判断题
离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格,高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除,掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
A
对
B
错
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解析:
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考题
单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。A
激活杂质后B
一种物质在另一种物质中的运动C
预淀积D
高温多步退火
考题
单选题离子注入过程是一个非平衡过程,高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞,逐步损失能量,最后停下来。停下来的位置是随机的,大部分不在晶格上,因而没有()。A
电活性B
晶格损伤C
横向效应D
沟道效应
考题
判断题在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即热扩散和离子注入。A
对B
错
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