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1.既然滑移是位错移出晶体,为什么金属发生塑性变形后,晶体中的位错密度反而增加?


参考答案和解析
由于位错的增殖,位错密度随形变量的增加而增高
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考题 金属单晶体的塑性变形方式为()。 A、滑移B、孪晶C、位错D、A或B

考题 实际金属晶体的塑性变形方式为()。 A、滑移B、孪晶C、蠕变D、滑移+孪晶

考题 晶体的滑移是晶体中的()在切应力的作用下沿着滑移面逐步移动的后果。A、空位B、晶界C、间隙原子D、位错

考题 单晶体的滑移,实际上是位错的移动。

考题 金属塑性变形的基本方法是位错后滑移。滑移应在()作用下进行。A、亚应力B、切应力C、扭应力D、交应力

考题 单晶体的变形方式有()A、滑移B、孪生C、位错D、位移

考题 实际金属晶体首先发生滑移的是()。 A、硬位向晶粒B、软位向晶粒C、硬位向和软位向晶粒D、硬位向或软位向晶粒

考题 与单金属晶体相比,影响实际金属晶体塑性变形的因素是()。 A、晶界B、晶粒位向C、晶粒度D、其余三项

考题 金属的塑性变形是通过晶体的()运动来实现的。A、位错B、位移C、迁移D、定向

考题 对于金属晶体来说,增加位错密度或降低位错密度都能增加金属的强度。

考题 为什么晶体通过滑移塑性变形时,滑移总是沿着晶体中的原子密排面和密排方向进行? 

考题 金属晶体塑性变形时,滑移和孪生有何主要区别?

考题 晶体的滑移实际上就是位错运动的结果。()

考题 为什么陶瓷中位错的密度低于金属中,且陶瓷中位错的滑移系少于金属中?

考题 ()是晶体的一部分沿着一定的晶面和晶向相对于另一部分作相对的滑动,是晶体发生塑性变形的主要方式。A、攀移B、滑移C、位错D、剪切

考题 位错的具有重要的性质,下列说法不正确的是()。A、位错不一定是直线B、位错是已滑移区和未滑移区的边界C、位错可以中断于晶体内部D、位错不能中断于晶体内部

考题 问答题为什么晶体通过滑移塑性变形时,滑移总是沿着晶体中的原子密排面和密排方向进行?

考题 单选题在晶体滑移过程中()A 由于位错不断移出滑移面,位错密度随形变量的增加而减少B 由于位错的增殖,位错密度随形变量的增加而增高C 由于晶界不断吸收位错,位错密度随形变量的增加而减少D 由于位错的消失(移出滑移面)和增殖的共同作用,位错的密度基本不变

考题 单选题柏格斯矢量是位错的符号,它代表()。A 位错线的方向B 位错线的运动方向C 晶体的滑移方向

考题 问答题为什么陶瓷中位错的密度低于金属中,且陶瓷中位错的滑移系少于金属中?

考题 单选题在应力作用下,晶体沿内部一定的滑移系发生的滑动称作(),是岩石塑性变形的重要机制之一。A 晶内滑动B 位错滑动C 颗粒边界滑动

考题 判断题单晶体塑性变形的主要方式是滑移。A 对B 错

考题 判断题单晶体金属的塑性变形只有滑移和孪生两种机理。A 对B 错

考题 单选题位错的具有重要的性质,下列说法不正确的是()。A 位错不一定是直线B 位错是已滑移区和未滑移区的边界C 位错可以中断于晶体内部D 位错不能中断于晶体内部

考题 填空题金属经冷塑性变形后,位错密度增加,强度(),塑性 降低

考题 判断题晶体的滑移实际上就是位错运动的结果。()A 对B 错

考题 单选题()是晶体的一部分沿着一定的晶面和晶向相对于另一部分作相对的滑动,是晶体发生塑性变形的主要方式。A 攀移B 滑移C 位错D 剪切

考题 问答题对比晶体发生塑性变形时可以发生交滑移和不可以发生交滑移,哪一种情形下更易塑性变形,为什么?