考题
当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。
A、增大B、不变C、减小D、不确定
考题
一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。 ()
此题为判断题(对，错)。
考题
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。()
此题为判断题(对，错)。
考题
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关，而当环境温度升高时，又明显增大？
考题
当温度升高，硅二极管的反向饱和电流将（）。A、减小B、不变C、增加D、取决于外加电压值
考题
锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。
考题
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（）A、10μAB、15μAC、20μAD、40μA
考题
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。A、增大B、不变C、减小
考题
在相同温度下，硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的（）
考题
为什么二极管的反向饱和电流与外加电压基本无关，而当环境温度升高时又显著增大？
考题
硅管的导通电压比锗管大，反向电流比锗管（），温度稳定性比锗管（）。
考题
当温度升高时，二极管反向饱和电流将（）。A、增大B、减小C、不变D、等于零
考题
当温度升高时，晶体二极管的反向饱和电流将（）。A、增大B、减小C、不变D、不能确定
考题
硅二极管反向导通电流一般（）。A、为0B、比锗管小C、比锗管大D、比砷化镓二极管小
考题
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？
考题
问答题为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关，而当环境温度升高时，又明显增大？
考题
判断题二极管的反向饱和电流随温度的上升而减小。A
对B
错
考题
判断题锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。A
对B
错
考题
单选题二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（）A
10μAB
15μAC
20μAD
40μA
考题
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？