考题
输入信号频率f趋于X时的电压放大倍数等于其通常电压放大倍数的滤波电路是()
A带通B低通C高通
考题
图示单管放大电路中，设晶体管工作于线性区，此时，该电路的电压放大倍数为：
考题
对放大电路而言有（），它们通常都是按弦量定义的。A、电流放大倍数B、电压放大倍数C、功率放大倍数D、暗电流放大倍数
考题
直接耦合放大电路静态工作点，发生变化的原因是（）。A、晶体管放大倍数低B、电阻器阻值变化C、晶体管参数受温度影响D、电源电压不稳定
考题
晶体管放大电路中偏置电路的目的是（）A、增大放大倍数B、稳定静态工作点C、延长晶体管使用寿命D、减小非z一性失真
考题
在放大电路中，由于晶体管的内部反馈，可能产生自激，防止的办法除正确选择晶体管的参数及控制各级放大倍数外，常采用（）电路。
考题
普通放大电路中集电极电阻Rc乘放大倍数β大于基极电阻Rb数值，这时晶体管处于（）。A、放大状态B、截止C、饱和区D、导通状态
考题
晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。
考题
晶体管电流串联负反馈电路的特点是：（）输出阻抗略有增大，放大倍数下降但稳定度提高了。
考题
共（）放大电路的电压放大倍数不可能大于1，共（）放大电路的电流放大倍数不可能大于1。
考题
多级放大电路的级数越多，则其（）A、放大倍数越大，而通频带越窄B、放大倍数越大，而通频带越宽C、放大倍数越小，而通频带越宽D、放大倍数越小，而通频带越窄
考题
晶体管放大电路，已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib，发射极电流Ie是（）。
考题
在放大电路中，直流负反馈不能（）A、提高晶体管电流放大系数的稳定性B、提高放大电路的放大倍数C、稳定电路的静态工作点D、提高晶体管电压放大倍数的稳定性
考题
晶体管放大电路，已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib，发射极电流Ie等于（）。
考题
在晶体管低频多级放大电路中，其总的电压放大倍数等于（）。A、各级放大倍数之和B、各级放大电路中的最大放大倍数C、各级放大倍数之积D、各级放大电路的平均放大倍数与级数之积
考题
普通放大电路中集电极电阻置c乘放大倍数9大于基极电阻置b数值，这时晶体管处于（）状态。A、放大B、截止C、饱和D、导通
考题
功率放大电路比电流放大电路的电流放大倍数大。
考题
晶体管放大电路的电压放大倍数，常采用近似计算。
考题
填空题晶体管放大电路，已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib，发射极电流Ie等于（）。
考题
判断题晶体管共发射极放大电路电流放大倍数较小。A
对B
错
考题
单选题晶体管放大电路中偏置电路的目的是（）A
增大放大倍数B
稳定静态工作点C
延长晶体管使用寿命D
减小非z一性失真
考题
填空题晶体管放大电路，已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib，发射极电流Ie是（）。
考题
单选题普通放大电路中集电极电阻置c乘放大倍数9大于基极电阻置b数值，这时晶体管处于（）状态。A
放大B
截止C
饱和D
导通
考题
判断题晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。A
对B
错
考题
填空题晶体管电流串联负反馈电路的特点是：（）输出阻抗略有增大，放大倍数下降但稳定度提高了。